方程xx=yy(x≠y)的一组有理数解

引起笔者对本文问题研究的是在研究指数函数y=ax与其反函数y=logax交点的个数时发现的一个有趣性质.     

最值问题中的对称思想

最值问题是中学数学的一个基本问题，解决的方法很多，如分析法（单调性法）、判别式法、平均值不等式法、数形结合法、导数法等．对称性是数学的重要特征，几何、代数中充满着各种类型的对称美．充分挖掘问题中的对称性，常常能够启迪思维，启发人们探索解题思路，发现巧妙解法．下面通过例子说明用对称思想解决某些最值问题既快又准确．     

精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。     

k圈图的最大Laplace分离度

设$ G $是一个$ n $阶$ k $圈图, $ k $圈图为边数等于顶点数加$ k-1 $的简单连通图。$ \mu_{1}(G) $、$ \mu_{2}(G) $分别记为图$ G $的Laplace矩阵的最大特征值和次大特征值, 图$ G $的Laplace分离度定义为$ S_{L}(G)=\mu_{1}(G)-\mu_{2}(G) $。本文研究了给定阶数的$ k $圈图的最大Laplace分离度, 并刻画了相应的极图, 其结果推广了已有当$ k=1, 2, 3 $时的结论。     

不同结构扩孔分子筛催化MTP反应行为及表面积炭物种表征

采用TEAOH溶液处理MFI结构ZSM-5分子筛、MWW结构MCM-22分子筛,NaOH溶液处理TON结构ZSM-22分子筛、CHA结构SSZ-13分子筛得到四种结构的扩孔分子筛。在反应温度480℃、反应压力0.1 MPa、甲醇与水质量比1∶1、甲醇质量空速1.5 h~(-1)的条件下,考察了四种扩孔分子筛的甲醇制丙烯(MTP)催化性能,并采用XRD、N_2吸附-脱附、NH_3-TPD、TG、UV-Raman和GC-M S等方法表征催化剂的物化性质及M TP反应2 h后的分子筛积炭性质。结果表明,四种分子筛扩孔改性后均出现介孔,其中,T-ZSM-5分子筛在MTP反应中寿命最长;T-MCM-22分子筛寿命次之且失活速率慢;而一维孔道结构N-ZSM-22分子筛和八元环尺寸较小的N-SSZ-13分子筛均失活迅速。受拓扑结构和孔道扩散的影响,MTP反应2 h后,分子筛积炭量增加的顺序为T-ZSM-5N-ZSM-22T-MCM-22N-SSZ-13且可溶焦分子质量随积炭量增加而增重,即从五甲基苯增重到菲、芘等多环芳烃。     

光路显示仪

在我们日常生活中,所遇到的光学现象是很多的,各种光学器材更是生活中不可缺少的工具。尤其是在部队中,多种多样的光学仪器广泛的在各兵器中使用着。所以光学已是我们     

关于高中化学课本中银镜反应实验的改进意见

1.试验银镜反应所用试管事先用苛性碱加热煮沸洗净,如改用硝酸加热煮沸洗净,再用大量水冲洗,效果更好。 2.课本上规定“在试管里放氧化银的氨溶液3—4毫升,福马林1—2毫升,混和微热……”按上法当混和时已出现黑色,实验很易失败,因反应太快,如用氧化银氨溶液和福马林体积比为20:1(即用2毫升氧化银的氨溶液加3—5滴福马林)即出现银镜,且非常光亮,微热更快。 3.如用下法不需加热,效果亦显著。在洗净的试管中倒入1毫升福马林并转动使附着于试管壁上,倒去多余的福马林(以备另用),在附有福马林的试管中加入氧化银的氨溶液3—5毫升,转动即有光亮的银镜出现。     

浅谈梯子滑动问题——勾股定理的小应用

人民教育出版社八年级下册中有一道关于梯子滑动的例题:一个长3m的梯子AB,斜靠在一竖直的墙AE上,此时AE高为2.5m,如果梯子的顶端A沿墙下滑0.5m,那么梯子底端B也外移0.5m吗?按人们主观想象,底端也会外移0.5m,但是当我们通过仔细观察和严格的数学计算后,发现梯子外移约0.58m,这个问题引发了师生们浓厚的兴趣和深入的思考.梯子上、下端滑动的距离为什么会不一样呢?它们之间的大小关系和哪些因素有关呢?下面我们就通过做数学实验和利用刚刚学习的勾股定理来解释这个小问题.实验一:长5m的梯子AB斜靠在一竖直的墙上,AE的距离为4m,则EB的距离…     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

低能离子束与表面相互作用主要呈现溅射、注入等现象。本文研究了在1.35keVN₂⁺离子注入形成氮化硅的特性,并研究了注入和溅射的并存过程。在高剂量、低能(<10keV)注入的情况下,提出了有效剂量的概念,并建立了刻蚀速率、射程与有效注入剂量的关系。还用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、背散射分析(RBS)测定了薄膜的有关特性。 关键词：