碳纤维微观结构表征方法

碳纤维作为高性能纤维的一种,是先进复合材料最重要的增强材料,碳纤维的微观结构是决定其性能的主要因素。综述了碳纤维微观结构的表征方法,主要包括表面形貌、形态结构、化学结构、晶态结构和孔结构。碳纤维表面形貌表征主要通过扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM);形态结构主要采用透射电镜(TEM)来表征;化学结构表征主要依靠拉曼光谱(Raman)和X射线光电子能谱(XPS);晶态结构和孔结构分别采用广角X射线衍射(WXRD)和小角X射线散射(SAXS)来分析,这为研究分析如何得到高性能碳纤维提供了参考。     

两种T700碳纤维的微观结构与性能研究

采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对国产JHT45-T700和日本东丽T700两种碳纤维的硬度相对大小、表面和断面形貌、石墨化程度和微晶结构进行了表征,分析了其中的差异。结果表明,东丽T700微区硬度大于国产JHT45-T700;国产JHT45-T700表面存在大量沟槽,而东丽T700表面光滑。因此,国产JHT45-T700与树脂基体的浸润性优于东丽T700。Raman与XRD分析表明,东丽T700石墨化程度、微晶尺寸和结构的有序程度均高于国产JHT45-T700;TEM显示,东丽T700晶格条纹比国产JHT45-T700更规整些,晶相较多,石墨微晶发育相对更完善。     

离子液体中6-(2,3-环氧丙氧基)-2(1H)-喹啉酮及其衍生物的合成

6-(3-氨基-2-羟基丙基)-2-(1H)-喹啉酮衍生物被发现具有新的正性肌力的活性. 设计合成了一系列新的氨丙醇类喹啉酮化合物. 首先研究了6-羟基-2-(1H)-喹啉酮环氧化物2在离子液体中的合成, 该反应后处理简便, 收率高, 对环境友好. 然后用合成得到的2-(1H)-喹啉酮环氧化合物在离子液体中与一系列具有生物活性的有机碱反应, 合成了氨丙醇类2-(1H)-喹啉酮化合物3. 然后由6-羟基-2-(1H)-喹啉酮出发, 在离子液体中, 进行了一锅法合成氨丙醇类2-(1H)-喹啉酮化合物的研究. 制得的2b, 3b～3f 6个新化合物用IR, ¹H NMR, MS和元素分析进行了结构表征.     

粗晶和纳米晶Sm_3Co合金的制备及其性能研究

本文针对Sm3Co粗晶和纳米晶合金材料的制备和基础性能进行了研究.采用磁悬浮熔炼技术多次精炼制备出Sm3Co粗晶合金.以此为母材,利用高能球磨非晶化和放电等离子烧结致密化并同步晶化的技术路线,制备出平均晶粒尺寸为8 nm的超细纳米晶Sm3Co合金块体材料.构建了Sm3Co纳米晶合金的晶体结构模型,并结合其显微组织的表征,分析了Sm3Co纳米晶合金的磁性能和力学性能,并与粗晶合金进行了比较粗晶Sm3Co合金不具有硬磁特性,而同种成分的纳米晶合金则表现出一定的硬磁特性.纳米晶Sm3Co合金的显微硬度和弹性模量分别达到4.87 GPa和63.7 GPa,比粗晶合金增大约8.7%和13.3%.本文研究结果为Sm-Co体系合金的基础性能及其纳米尺度效应提供了系统的参考依据.     

Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes

The ~(60)Co-γ ray total ionizing dose radiation responses of 55-nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS) memory cells in pulse mode(programmed/erased with pulse voltage) and dc mode(programmed/erased with direct voltage sweeping) are investigated. The threshold voltage and off-state current of memory cells before and after radiation are measured. The experimental results show that the memory cells in pulse mode have a better radiation-hard capability. The normalized memory window still remains at 60% for cells in dc mode and 76% for cells in pulse mode after 300 krad(Si) radiation. The charge loss process physical mechanisms of programmed SONOS devices during radiation are analyzed.