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21.
本文采用第一性原理赝势平面波法, 计算并分析了稀土Gd掺杂磷烯的物理结构、电子结构、磁性以及光学性质. 计算表明: 在掺杂原子Gd附近引起了磷烯物理结构上的变化. 能带数量明显增多变密, 带隙变窄由0.921eV变为0.578eV. 同时, 由于Gd原子的4f和5d轨道电子两种自旋取向分布具有不对称性, 给体系引入了强磁性, 计算得到的自旋磁矩为7.470B. 磷烯材料的复介电函数是各向异性的, 同时可以得出磷烯材料在其它光学性质方面也是各向异性的. Gd掺杂后使材料的介电性能增强. 在紫外光的能量范围内, 不同极化方向上的反射率和损失函数的峰值降低, 说明Gd的掺入使材料对紫外光的敏感度有所减弱. 希望以上研究结果能为新型二维材料磷烯在光电和稀磁半导体材料的设计与开发方面提供理论依据.  相似文献   
22.
采用RP-HPLC法,色谱柱:Symmetry C18 (5 μm,4.6 mm×250 mm);流动相:V(甲醇)∶V(0.025 mol/L KH2PO4 (pH 2.8))=20∶80;检测波长260 nm;流速:0.7 mL/min,进样量10 μL,对香菊活血丸中士的宁进行含量测定.结果显示士的宁在0.004~0.128 μg (r=0.9993)范围内有良好的线性关系;平均回收率为101.73% (平均RSD=1.153%).本方法可用于香菊活血丸中士的宁的质量控制.  相似文献   
23.
近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系(包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格)中声学声子的喇曼散射谱.结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同,呈现出许多独特的性质.对有限周期数的超晶格,由于边界的存在,喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰(主峰)外,还会出现一系列等间距分布的卫星峰.对耦合超晶格体系,理想超晶格中存在的主峰将出现分裂.对层厚起伏变化的超晶格,主峰呈现非对称展宽,展宽主要出现在高波数端.计算结果和实验测得的谱线作了比 关键词:  相似文献   
24.
采用第一性原理赝势平面波法中的LDA+U的方法对稀土(Ce,Gd)掺杂CdS的光电性质进行了计算与分析. 结果表明: Ce, Gd掺杂后, CdS的晶格常数增大, 费米面附近的能带明显增多、变密, 禁带宽度有所增大. Ce和Gd的f态的强局域性使体系产生磁有序性. 稀土掺杂后CdS的静态介电常数增大而反射率明显降低. 以上结果表明稀土元素的掺入能有效调制CdS的光电性质.  相似文献   
25.
采用第一性原理赝势平面波法中的LDA+U的方法对稀土(Ce,Gd)掺杂CdS的光电性质进行了计算与分析.结果表明:Ce,Gd掺杂后,CdS的晶格常数增大,费米面附近的能带明显增多、变密,禁带宽度有所增大.Ce和Gd的f态的强局域性使体系产生磁有序性.稀土掺杂后CdS的静态介电常数增大而反射率明显降低.以上结果表明稀土元素的掺入能有效调制CdS的光电性质.  相似文献   
26.
基于第一性原理赝势平面波方法,对稀土(Y、Ce)掺杂β-FeSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明,Y 或Ce掺杂后β-FeSi2的晶格常数改变,晶胞体积减小。电子结构的计算表明,掺入稀土后β-FeSi2 费米面附近的能带结构变得复杂,带隙变窄;总电子态密度发生了变化,Y 的4d 轨道电子态密度和Ce的4f轨道电子态密度主要贡献给费米面附近。光学性质的计算结果表明,Y 或Ce 掺杂后β-FeSi2 的静态介电常数明显提高,介电函数虚部ε2 的峰值均向低能方向移动并且减弱,折射率n0 明显提高,消光系数k 的峰值减弱,计算结果为β-FeSi2材料掺杂稀土改性的实验研究提供了理论依据。  相似文献   
27.
含参数不等式恒成立问题在高考中频频出现,是高考的重难点之一.由于该类问题综合性强,考查内容广,解法灵活,能力要求高,不少学生面对此类题找不到切入点和突破口.笔者结合实例探讨解决此类问题的策略.  相似文献   
28.
通过4-溴苯甲醇和三甲基硅基乙炔的Sonagashira偶联反应与三甲基硅基的脱除反应,合成4-乙炔基苯甲醇.以4-乙炔基苯甲醇为引发剂,以有机氮杂环化合物DBU为催化剂,常温常压下进行丙交酯的活性开环聚合反应,采用1H-NMR和GPC对产物结构、分子量与分子量分布进行表征分析,结果表明,合成以了苯乙炔为端基的聚乳酸大...  相似文献   
29.
本文针对化武核查相关化合物的特点对土壤样品进行制备,并对其进行气相色谱-质谱法(GC-MS)分析检测,同时对检测到的3个目标化合物的质谱碎片进行了解释.  相似文献   
30.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对C掺杂β-FeSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算.几何结构和电子结构的计算表明:C掺杂后使得β-FeSi2的晶格常数a和b减少,c变化不大,晶格体积减小;C掺杂后的β-FeSi2能带结构仍为准直接带隙,禁带宽度变窄,直接带隙与间接带隙的能量差值不变, C的掺杂消弱了Fe的3d态电子,费米能级附近的电子态密度主要由Fe的3d态电子贡献.光学性质的计算表明:与未掺杂时相比,介电函数的实部 减少,虚部 的峰值减少并向高能方向有一微小的偏移,吸收系数有所降低.计算结果为β-FeSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导.  相似文献   
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