一元积分学的教改建议

一元积分学的教改建议丁文有，周振江（牡丹江大学，牡丹江１５７０１１）一、问题的提出高等数学是进人高等工科院校学习的必要起始课，是迈向科技领域的首要人门课．是继往开来的重要基础课．因此．高等数学的教学历来受到工科院校的普遍关注．无论是在教材建设上．还是...     

贯彻教学基本要求 改革高等数学教学

贯彻教学基本要求　改革高等数学教学丁文有（牡丹江大学，牡丹江市１５７０１１）由国家教委颁布的＂高等学校工程专科高等数学课程教学基本要求＂是我们进行高等数学教学的指导性文件，是修订教学大纲、确定教学内容、改革教学方法、进行教学质量检查与评估的基本依据。...     

金属核心/高聚物膜复合悬浮相电流变流体材料

针对电流变流体悬浮相材料的开发与研究,根据介质极化原理,设计开发了金属核心/高聚物膜复合悬浮相电流变流体材料,在乳液聚合与微胶囊包覆技术的基础上,制备出了金属核心/高聚物膜复合颗粒.并对这种金属核心/高聚物膜复合颗粒的电流变流体性能进行了测试与研究.从理论和实验上都说明了金属核心/高聚物膜复合悬浮相材料在改善电流变流体力学性能及稳定性方面具有潜力,是可以进一步提高与改进的电流变流体材料.     

Current spreading in GaN-based light-emitting diodes

We have investigated the factors affecting the current spreading length(CSL) in GaN-based light-emitting diodes(LEDs) by deriving theoretical expressions and performing simulations with APSYS.For mesa-structure LEDs,the effects of both indium tin oxide(ITO) and n-GaN are taken into account for the first time,and a new Q factor is introduced to explain the effects of different current flow paths on the CSL.The calculations and simulations show that the CSL can be enhanced by increasing the thickness of the ITO layer and resistivity of the n-GaN layer,or by reducing the resistivity of the ITO layer and thickness of the n-GaN layer.The results provide theoretical support for calculating the CSL clearly and directly.For vertical-structure LEDs,the effects of resistivity and thickness of the CSL on the internal quantum efficiency(IQE) have been analyzed.The theoretical expression relating current density and the parameters(resistivity and thickness)of the CSL is obtained,and the results are then verified by simulation.The IQE under different current injection conditions is discussed.The effects of CSL resistivity play a key role at high current injection,and there is an optimal thickness for the largest IQE only at a low current injection.     

火焰原子吸收光谱法测定土壤中锌含量的测量不确定度评定

火焰原子吸收光谱法测定土壤中锌含量的不确定度主要来源于测量样品消解液中锌的浓度、测量过程中使用的玻璃量具及样品称量产生的不确定度,对这些分量进行了量化计算,求得合成标准不确定度和扩展不确定度分别为1．29、2．6mg／kg。影响锌含量测量不确定度的主要因素是测量样品消解液中锌的浓度引起的不确定度。     

求解子矩阵约束条件下四元数矩阵方程AXB=C的矩阵半张量积方法

1引言子矩阵约束下的矩阵方程问题是指限定矩阵方程的解X的一个子矩阵X_(0),然后在某个约束集合中求解矩阵方程.如求满足X([1:q])=X_(0)的对称解,这里X([1:q])表示矩阵X的q阶顺序主子阵.子矩阵约束下的矩阵方程问题来源于实际中的系统扩张问题[1],有一定的实际意义和重要性,受到了许多学者的关注,如[2-4]中,彭分别研究了子矩阵约束条件下实矩阵方程AX=B的实矩阵解,中心对称解和双对称解.