聚硼硅氮烷陶瓷前驱体分子结构设计和合成*

聚硼硅氮烷是制备高性能硅硼 碳氮（SiBCN）复相陶瓷的主要聚合物前驱体,在耐高温、抗氧化高性能陶瓷领域中具有重要的研究价值。本文分4个方面,即基于硼吖嗪的聚硼硅氮烷、侧基含有环硼氮烷或单硼烷的聚硼硅氮烷、基于多官能硼烷构筑的聚硅氮烷和含硼聚硅基碳化二亚胺,从聚硼硅氮烷分子结构设计、改性、合成及在多维尺寸材料中初步应用的角度综述了该领域国内外研究的新进展,指出了聚硼硅氮烷陶瓷前驱体设计合成研究发展中值得关注的新方向。     

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成

在有机电致发光器伯研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存在的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如：2-(4-叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子? 缀托韵拗屏怂挠τ谩Ｎ说玫叫碌挠行У牡缱哟洳牧希疚囊脏绶晕鹗挤从ξ锞獯Ⅳ人峄Ⅴセ苯獾炔街韬铣闪肃绶远ｋ拢偻ü绶远ｋ掠胂嘤Φ娜〈郊柞Ｂ人鹾稀⒐鼗返姆椒ń坏缱拥泥绶曰泛透叩缱忧缀托缘泥绶曰吠币耄铣闪巳中碌暮绶曰穱f二唑衍生物2,5-双[2,2'-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXDR=H,OCH~3,CH~3)。同时,采用循环伏安法对其电? 阅芙辛瞬舛āＵ馊只衔锒荚诟悍较虺鱿至艘欢钥赡娴难趸乖澹纱说玫狡涞缱忧缀褪?EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用? 牡缱哟洳牧螾BD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡? 椒?TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10^-^4cm^2/V.S(E=10^6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。     

Nb：KTiOPO4晶体的生长和倍频性能

通过研究晶体生长工艺参数对Nb∶KTiOPO4(Nb∶KTP)晶体生长的影响,用熔盐顶部籽晶法获得尺寸为55mm×25mm×5mm的Nb∶KTP透明单晶.研究中发现熔体的温度梯度、籽晶和降温速率将严重影响Nb∶KTP晶体的生长.Nb离子的引入不利于Nb∶KTP晶体的生长,尤其是造成晶体易开裂,且沿a轴方向生长速度非常缓慢.同时,Nb的引入大大改变Nb∶KTP晶体的倍频性能.掺杂Nb浓度的摩尔分数为13%时,Nb∶KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长缩短至937nm,且有效产生469nm倍频蓝光;掺杂Nb浓度的摩尔分数为3%时,Nb∶KTP晶体对Nd∶YAG的1.0642μm激光倍频的最佳相位匹配角为θ=88.32°,()=0°,非常接近90°非临界相位匹配方向.     

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管

叔丁基联苯基苯基噁二唑作空穴限制层的掺杂聚合物蓝光发光二极管马於光,吴军,薛善华,黄劲松,田文晶,刘式墉,沈家骢,刘晓冬（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家重点实验室,长春,１３００２３）（白求恩医科大学基础部）关键词聚合物,发光...     

“有机发光二极管（OLEDs）”专刊序

<正>阳光是自然界能源的起点，光的认知与利用是人类文明进步的标志。光能量分布（光谱）、光子的波粒二相性的发现是现代物理学的基础。火的利用是远古人类第一个可控的光源，“是人类第一次支配了一种自然力，将人与动物分开”。19世纪末，电光源（电灯）的发明变革了人类延续百万年的以火为基础的照明方式，人类进入了全新的时代。     

有机发光二极管蓝光材料研究进展

有机发光二极管（Organic light-emitting diodes,OLEDs）经过30余年的发展，在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准，但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题，因而商业上对兼具高激子利用率及高稳定性的蓝光材料和器件的需求显得尤为迫切。为了解决这一问题，国内和国际上相继提出了基于重金属配位的磷光配合物、三线态-三线态湮灭、热活化延迟荧光、“热激子”等材料结构的设计策略，期望在获得高发光量子效率和激子利用率的同时，尽量减小器件的效率滚降，获得具有高稳定性、长寿命的蓝光OLEDs器件。本文总结了不同类型蓝光OLEDs材料的研究进展，并对未来蓝光材料的发展趋势进行了展望。     

基于蒽核的高性能深蓝光“热激子”材料EI北大核心CSCD

蓝光OLED材料是电致发光领域的关键和难点。基于高能激发态转换的“热激子”材料表现出优异蓝光材料的潜能。本文通过调节给受体的推拉电子能力,以蒽为核心构筑单元、三苯基苯为弱给体、苯氰基为受体,设计合成了一种新型D-π-A结构分子TACN。扭曲的三苯基苯提供了高度扭曲的分子构象,有效减弱了聚集态下的猝灭效应,因此TACN表现出高的荧光量子产率(聚集态下47%)。实验结果和理论分析表明,TACN具备“热激子”特征,其大的T_(2)-T_(1)能隙(1.45 eV)有效阻碍了从T_(2)到T_(1)的内转换(IC)过程,而小的T_(2)-S_(1)能差(0.18 eV,T_(2)>S_(1))有利于促进反向系间窜越(RISC)过程。基于TACN的非掺杂器件表现出深蓝色发射(λmax=444 nm),半峰宽(FWHM)为59 nm,色坐标为(0.17,0.13)。其最大外量子效率(EQEmax)为8.3%,相应的激子利用率(EUE)最高为88.7%。