高精密度无损伤检测黄金首饰技术

本文提出了一种高精密度无损伤检测黄金首饰技术。通过测定黄金首饰在测量液中的浮力后计算密度再查表而得。其特征是测量液为表面张力和粘度均较小的有机溶剂或其溶液，而且在测定浮力的同时同步测定该测量液的密度或温度。本技术简便可靠，标准偏差Ｓ＝±０．００３５，Ｔ检法ｔ９０＝０．１５。精密度±０．０１％，速率１２样／小时，既快又准，易于普及推广。     

椭圆型方程广义解的Phragmén—Lindelf原理

设 G 是 E~n 中的无界连通区域,在适当条件下对一类椭圆型方程广义解证明 Phragmén-Lindelf 原理成立.     

问题解答

问:高中物理课本第一册§99在讲到皮带传动的问题时写道:“实际上常用的传动速度比一般不大于5,这是因为从动皮带轮是由它和皮带间的摩擦力来带动的,而这个摩擦力的大小又决定于皮带轮跟皮带接触部分的圆弧的长度。”这是为什么?     

DMSO对籼稻广陆矮4号种子愈伤组织诱导、再分化和过氧化物酶同工酶谱的影响

本文以二甲亚砜(dimethylsulfoxide,DMSO)作为外源因素研究其对培养的植物外植体的影响。 材料与方法 籼稻广陆矮4号(Oryza Satira L.Subsp.Indica CV.Guangluai 4)种子.1.1％DMSO预处理:去壳种子经酒精表面消毒后,浸于1％DMSO水溶液中,在25—30℃振荡培养6,12,24小时,并以不经DMSO溶液浸种的种子为对照。2.诱导培养基:N6,加蔗糖3％,2.4-D3mg/l,KT0.5mg/l,pH5.8。分化培养基:MS,加蔗糖3％,NAA0.5mg/l,KT10mg/l,水解乳蛋白500mg/l,pH5.8。培养条件:25±1℃,光照培养。接种9—10天后,统计愈伤组织诱导率,转入分化培养后15天统计分化率。3.过氧化物酶同工酶凝胶电泳:按照方国伟等的方法进行。     

关于圆锥曲线的相似

关于圆锥曲线的相似梁伍德（北京市第二十二中学１００００７）我们知道什么叫做三角形相似，什么叫做多边形相似，那么什么叫做两个椭圆相似，或更一般地，什么叫做两条圆锥曲线相似呢？为此，我们先看一看两个图形相似的定义．如果图形Ｆ与Ｆ＇上的所有点构成的集合之间...     

脉冲管制冷研究进展

简要介绍了脉冲管制冷机的产生和发展，特别是近年来取得的突破性进展，揭示了脉冲管制冷原理，并且指出了脉冲管制冷机的应用前景。     

一类二阶非线性微分方程解的渐近性状

引言本文研究二阶非线性方程的解之渐近性状——有界性、单调性、振动性和振动解振幅的性质.关于线性方程+p(t)x=0的上述性质之研究,已经有许多工作(见书[1,2]).关于非线性方程     

鑭系元素、鈧与釷之纸层析分离

本文报告乙酸甲酯作展开剂之改进和四氢呋喃作展开剂时镧系元素、钪、钍、锆、钛和钒的单独和共存时的比移值,以及后者与温度的关系。此外,尚确定用四氢呋喃层析分离和茜素检出时,钍与希士元素之极限比为10~(-3),及钪和希土元素之极限比为10~(-1)。     

小麦幼苗叶片离体后若干生理生化性状的变化

为了有利于分析研究药壁、药隔在花粉去分化和愈伤组织形成中的作用,我们对与药壁组织起源相同的叶片(小麦幼苗叶片),进行了离体后若干生理生化性状变化的分析,共测定了18个项目,按其变化趋向,可以分为三类:(1)在叶片离体培养二天(48小时)后就出现明显的转折,如蒸腾强度和溶质渗出率;(2)在叶片离体培养后5天(120小时)或6天(144小时)出现明显的转折,如呼吸强度、鲜重、干重、含水量、全氮量、三氯醋酸可溶性氮、可溶性蛋白质等;(3)叶片离体培养一开始即出现变化,升高或降低,基本上直线进行,无明显转折,如以三氯醋酸不溶性氮为单位计算的呼吸强度、三氯醋酸不溶性氮、叶绿素a和b、胡萝卜和绿色素/黄色素比率等。这些变化结果表明,叶片的各个生理生化变化性状对离体影响的反应是不同的,在一定程度上反映了叶片不同的生理生化性状对根系的不同依赖性;也反映了离体叶片与离体花药的药壁、药隔相类似,经历着衰老死亡的过程,试验结果也表明:这种衰老过程在叶片离体2天就有所反映,在5—6天后全面反映出来了,而且,外植体各个部分是不同步的。由于离体叶片的酶蛋白受影响较缓慢,加之叶绿体、叶绿素潜力较大,故在离体初期,仍然能进行光合作用,积累干物质。鉴于离体花药的药壁、药隔变化具有离体后的衰老过程的特点,对花药培养研究方面提出了一些设想。     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧