全文获取类型
收费全文 | 850篇 |
免费 | 158篇 |
国内免费 | 653篇 |
专业分类
化学 | 1287篇 |
晶体学 | 34篇 |
力学 | 15篇 |
综合类 | 20篇 |
物理学 | 305篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 20篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 23篇 |
2020年 | 22篇 |
2019年 | 16篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 38篇 |
2015年 | 24篇 |
2014年 | 61篇 |
2013年 | 60篇 |
2012年 | 60篇 |
2011年 | 57篇 |
2010年 | 55篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 76篇 |
2007年 | 93篇 |
2006年 | 92篇 |
2005年 | 112篇 |
2004年 | 98篇 |
2003年 | 92篇 |
2002年 | 69篇 |
2001年 | 52篇 |
2000年 | 31篇 |
1999年 | 43篇 |
1998年 | 38篇 |
1997年 | 21篇 |
1996年 | 47篇 |
1995年 | 34篇 |
1994年 | 44篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 41篇 |
1991年 | 32篇 |
1990年 | 25篇 |
1989年 | 17篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 5篇 |
排序方式: 共有1661条查询结果,搜索用时 25 毫秒
142.
研究了原位聚合法制备聚酰胺/聚苯胺导电纤维,并对制备的复合纤维进行红外及光学显微镜测试,结果表明聚苯胺与纤维成功复合。对制备的复合纤维进行电导率测试,采用控制单一变量法探讨了苯胺单体在不同的条件下聚合对纤维电导率的影响,并讨论了反应温度对聚合过程和电导率的影响,得出最佳的工艺条件为:纤维经30%的甲酸溶液预处理20min,苯胺单体浓度为0.8M,氧化剂过硫酸铵浓度为1M,掺杂酸为盐酸,浓度为0.8M,冰水浴条件,反应时间为4h,得到的聚酰胺/聚苯胺导电纤维的电导率为3.7S/m。 相似文献
143.
由游离的三氨基胍和叠氮酸在非水溶剂中合成三氨基胍叠氮酸盐( T A Z),其结构由元素分析、质谱( M S)和 I R谱所证实 相似文献
144.
145.
研究了重金属氧氟硅铋酸盐玻璃 (50-x)SiO2 xBi2O3 50PbF2(x=0, 3, 5, 8, 10, 13, 15 mol%)中Er3+离子的吸收光谱、荧光光谱、荧光半高宽、荧光 寿命和热稳定性能.应用Judd Ofelt理论计算了玻璃的强度参数Ωt(t=2,4,6),应用 McCumber计算了能级4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射截面. 结果发现荧光半高宽与Ω6有较大联系,Ω6越大,荧光半高宽越宽.对Er3+
关键词:
重金属氧氟硅铋酸盐玻璃
光谱性质
Er3+离子
Judd Ofelt参数 相似文献
146.
147.
Ti扩散铌酸锂光波导特性的热固定技术 总被引:1,自引:1,他引:0
在Ti扩散铌酸锂光波导中,因光致折变效应而导致光波导特性漂移.在光波相干性的导波光学器件中,光致折变效应的影响尤为严重.本文报道了稳定光致折变效应的热固定技术实验结果;并提出在光波导特性的热固定过程中,不是H~+离子起主导作用这一看法. 相似文献
148.
报道了含硬币金属和四硒代钼酸盐的异金属硒簇合物的95Mo NMR研究结果和含膦配体Mo(W)-Cu(Ag,Au)-Se配合物的31P NMR谱学性能。发现不同硬币金属对95Mo核的化学屏蔽效应顺序为Au > Cu > Ag;对系列Mo-Cu-Se化合物的95Mo NMR研究结果表明:95Mo NMR的化学位移和线宽不仅与配位的Cu原子数目有关,而且对结构的变化特别敏感;[MoSe4]2-离子的相对四个方向被Cu+配位后,其Mo核的屏蔽基本饱和;外围配体对95Mo NMR数据影响甚微。同时还用动态95Mo NMR谱技术跟踪配体的取代反应和从MoCu4到MoCu10核的簇骼转变过程。此外,还讨论了这些化合物在不同构型之间,同一构型不同金属中心和不同配体基团的31P NMR化学位移的变化特征。 相似文献
149.
150.
Electrical Characteristics of Copper Phthalocyanine Thin-Film Transistors with Polyamide-6/Polytetrafluoroethylene Gate Insulator 下载免费PDF全文
Polyamide-6(PA 6)/polytetrafluoroethylene is studied as a potential gate dielectric for flexible organic thin film transistors. The same method used for the formation of organic semiconductor and gate dielectric films greatly simplifies the fabrication process of devices. The fabricated transistors show good electrical characteristics. Ambipolar behaviour is observed even when the device is operated in air. 相似文献