首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1495篇
  免费   345篇
  国内免费   439篇
化学   902篇
晶体学   50篇
力学   94篇
综合类   41篇
数学   239篇
物理学   953篇
  2024年   15篇
  2023年   68篇
  2022年   73篇
  2021年   53篇
  2020年   41篇
  2019年   65篇
  2018年   72篇
  2017年   73篇
  2016年   65篇
  2015年   67篇
  2014年   142篇
  2013年   102篇
  2012年   115篇
  2011年   107篇
  2010年   97篇
  2009年   96篇
  2008年   102篇
  2007年   88篇
  2006年   97篇
  2005年   83篇
  2004年   83篇
  2003年   82篇
  2002年   69篇
  2001年   49篇
  2000年   49篇
  1999年   46篇
  1998年   30篇
  1997年   32篇
  1996年   31篇
  1995年   30篇
  1994年   31篇
  1993年   14篇
  1992年   19篇
  1991年   20篇
  1990年   14篇
  1989年   18篇
  1988年   8篇
  1987年   7篇
  1986年   8篇
  1985年   5篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1979年   1篇
  1977年   3篇
  1976年   1篇
  1975年   2篇
  1960年   1篇
排序方式: 共有2279条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
详述了用turboc2.0编程计算等效电子LS耦合原子态的方法,并给出了计算nf5电子组态的LS耦合原子态的具体程序.  相似文献   
132.
Photoluminescence Property of Co3O4 Nanowires   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Co3O4 nanowire arrays are fabricated by electrodeposition with following heat-treatment in atmosphere ambient. Photoluminescence is investigated at 295K. In the experiment, when increasing the excitation light wavelength from 260 nm to 360 nm, two kinds of emissions corresponding to the increasing excitation light wavelength are observed. One of them alters the excited emission position, another keeps its emission position. The distinct behaviour of excited emissions related to the increasing excitation wavelength indicates that the mechanism of them must be different. According to the experimental comparison and first-principle calculation, the two kinds of emissions are discussed.  相似文献   
133.
With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.  相似文献   
134.
建立了一类具有粗糙核的Marcinkiewicz积分交换子在齐型Herz-Morrey空间上的有界性.  相似文献   
135.
设G是n阶2-连通P3-支配图,我们证明了如果δ≥n/4,则G是哈密尔顿的或G∈F ∪{K2,3,K1,1,3},这里F是一类已知的2-连通非哈密尔顿图.  相似文献   
136.
尹冬冬  江红 《化学教育》2000,(7):6-9,25
乙烯是烯烃同系列中的第一个成员,是产量最大的有机化工产品。本文从乙烯的来源、性质,用途方面展示了乙烯在石油化学工业中的重要地位;我国乙烯工业的根貌。乙烯工业产品对环境的影响及其对策。  相似文献   
137.
This paper reports the resolution of racemic gossypol to optically active enantiomery by condensationof (±) gossypol with S-1-methylphenethylamine, followed by subsequent actetylation and hydrolysis. Sev-en isomers of hexaacetate of di-S-1-methylphenet-thylamino gossypol have been obtained by chromatog-raphy on silica gel, and also structures of the acetates have been determined.  相似文献   
138.
司志车 《中学生数学》2009,(12):29-29,28
对于圆周率π,从小学阶段开始,我们就经常碰到它.对于这样一个十分熟悉的符号,你对它了解多少呢?本文简单谈一谈关于丌的一点常识.  相似文献   
139.
祖日恒原理是一条重要的几何公理 ,本文针对原理的思想、应用及方法揭示其深刻内涵 ,探讨教学方法 ,并由此得出几点有益的启示 .1 原理的深刻内涵教材中所说的祖日恒原理 ,是经过翻译加工后的结论 ,而其原文是“幂势相等 ,则积不容异 .”随着社会的发展 ,倘若用现代的数学观点重新理解其“原文” ,就会发现并领悟到原理中的深刻内涵 .下面有三点个人体会 :1 .1 具有更广泛的应用空间从字面含义理解 ,数学中的“幂”包括 1次幂、2次幂、高次幂 .如果说祖日恒时代“幂”仅指面积的话 ,现在就要赋于它新的含义和广泛的思维空间 ,包括二维、三…  相似文献   
140.
通过用不同界面张力体系和原油进行乳化实验,制备出一系列不同数量级的界面张力值和不同乳化效果的样品。并且考察了样品界面张力性能和乳化性能的对应关系。研究了界面张力性能和乳化程度的关系。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号