首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   78篇
  免费   20篇
  国内免费   27篇
化学   40篇
晶体学   3篇
力学   18篇
综合类   1篇
数学   18篇
物理学   45篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   5篇
  2018年   3篇
  2017年   3篇
  2016年   3篇
  2015年   3篇
  2014年   7篇
  2013年   3篇
  2012年   3篇
  2011年   4篇
  2010年   4篇
  2009年   7篇
  2008年   5篇
  2007年   3篇
  2006年   8篇
  2005年   6篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2001年   4篇
  2000年   7篇
  1999年   5篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   4篇
  1993年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   3篇
  1990年   5篇
  1989年   5篇
  1988年   2篇
  1987年   2篇
  1986年   1篇
  1984年   1篇
  1982年   2篇
  1979年   2篇
排序方式: 共有125条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
阳极氧化TiN薄膜制备N掺杂纳米TiO2薄膜及其可见光活性   总被引:4,自引:0,他引:4  
室温下通过电泳沉积(EPD)的方法在Ti片表面制备TiN薄膜,然后对TiN薄膜进行阳极氧化得到N掺杂多不孔纳米结构的TiOz薄膜.利用x射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),扫描电子显微镜(SEM)及光电化学方法对得到的薄膜进行表征.XRD测试结果表明,经过阳极氧化并在350℃空气气氛中退火1 h的薄膜中存在锐钛矿晶犁的TiO2.xPs的结果表明,样品中的N元素取代部分O,且N的摩尔分数为O.95%.SEM显示,经阳极氧化后薄膜表面出现多孔纳米结构.光电化学测试结果显示,阳极氧化提高了N掺杂TiO2薄膜在可见光下的光电响应.经阳极氧化并热处理的薄膜在0 V电位及可见光照射下光电流密度为2.325μ.cm2,而单纯热处理的薄膜在相同条件下光电流密度仅为0.475μA·cm-2.阳极氧化得到纳米多孔结构提高了 N 掺杂纳米 Ti02 薄膜的表面积,从而对可见光的响应增大.  相似文献   
122.
基于分散固相萃取前处理技术,建立了超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)同时测定蔬菜中10种新烟碱类农药的检测方法。样品经乙腈提取,NaCl盐析后,提取液经50 mg C18、 50 mg GCB和200 mg PSA净化,在电喷雾正离子多反应监测模式下测定,外标法定量。结果表明,10种农药在0.1~10.0μg/L范围内均呈良好的线性关系,相关系数(r)均大于0.9955,方法检出限为0.5μg/kg,方法定量限为1.0μg/kg。在1, 5和20μg/kg添加水平下,10种农药的平均回收率为73.5%~119.1%,相对标准偏差在0.60%~11%之间。该方法适用于蔬菜中10种新烟碱类农药的批量快速检测。  相似文献   
123.
铜基催化剂上甘油脱水制备羟基丙酮   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用共沉淀法制备了一系列铜基催化剂,在N2中于高压釜中,考察了其催化甘油脱水制备羟基丙酮的反应性能.结果表明,Cu/SiO2催化剂具有较高的催化甘油脱水活性,但目的产物羟基丙酮易与反应产生的H2生成1,2-丙二醇,使得羟基丙酮选择性不高.因此,在固定床反应器上详细考察了在优选的Cu/SiO2催化剂上反应气氛、温度和空速...  相似文献   
124.
为了克服RFID系统的标签识别中存在的安全性问题和识别死循环问题,提出了一种群标签的识别与认证协议GIA.GIA协议在识别过程中采用假名进行防冲突识别,防止标签敏感信息的泄露,在认证过程中只用伪随机数发生器实现了阅读器和标签之间的相互认证,解决了中间人攻击、前向安全、重放攻击和克隆等安全问题,同时也满足了低成本标签的要求.用可证明安全模型证明了GIA满足了安全性目标.与现有的相关研究进行比较,GIA在存储开销、计算代价和通信开销上具有较好的性能.  相似文献   
125.
新型AgGa1-xInxSe2晶体用于CO2激光倍频研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9~19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程.计算和描绘了Ⅰ型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线,并标出我们的倍频实验数据.在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe2相位匹配角θ及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号