r探测器的中子灵敏度标定技术

CeF3，YaP：Ce等无机晶体分别配光电倍增管构成的探测器，对r线有较高的探测效率，被称为r测器。由于其中子灵敏度比相同能量的r敏度要低数倍，有的甚至低一个量级，因此中子辐射源与周围环境物质作用产生的散射中子和r线将严重影响其输出电流，导致中子灵敏度的标定难以实现。     

Ca(NO3)2•4H2O-catalysed Biginelli Reaction: One-pot Synthesis of 1,2,3,4-Tetrahydropyrimidin-2-ones/pyrimidine-2-thiones under Solvent-free Conditions

The synthesis of 1,2,3,4-dihydropyrimidinone/thione derivatives was achieved in good to excellent yields using calcium(II) nitrate as catalyst to promote the Biginelli three-component condensation reaction from a diversity of aromatic aldehydes, β-keto compounds and urea or thiourea. The reaction was carried out under solvent-free conditions.     

LD双端端面泵浦的高功率连续单频Nd:YVO4激光器

通过研究Nd:YVO4晶体在不同Nd3+掺杂浓度下对泵浦激光的吸收特性,以及激光晶体因吸收泵浦光而产生的热效应,在理论上分析了大功率泵浦情况下全固体化单频Nd:YVO4激光器中激光晶体Nd3+掺杂浓度对激光输出特性的影响,得出了激光器的输出功率、泵浦阈值以及斜效率与晶体掺杂浓度的对应关系.在实验上对晶体掺杂浓度分别为0.2 at%、0.3 at%和0.5 at%的大功率全固体化单频Nd:YVO4激光器的输出功率进行了比较,实验结果和理论预测基本吻合.当Nd:YVO4晶体的Nd3+掺杂浓度为0.3 at%,在44.3 W泵浦光功率下,我们在实验室得到18 W单频连续1.064 μm激光输出,激光器的斜效率为49.4%.     

电源最大输出功率的条件及公式的应用

当外电路的电阻等于电源内电阻时,电源输出功率最大,应用这个结论,可以省去许多计算步骤.但实际应用时还要注意一些问题,下面从几个方面加以讨论.1 电源实际输出功率与最大输出功率的区别 这是两个不同的概念,一些学生往往会用Pm=(?)/4r计算电源输出最大功率,其实,(?)/4r只是电源输出功率的极限,电源一般不在该状态下工作.     

应用无衍射贝塞尔光束的固体线膨胀系数测量系统

测量固体线膨胀系数是工程设计中的一项重要工作。这套非接触固体线膨胀系数测量系统利用激光三角法进行了设计。通过采用线阵CCD作为信号传感器来实现自动化测量。通过采用无衍射贝塞尔光束来提高测量精度和增大测量范围。     

大米中硒的FI-HG-AAS测定方法研究

研究了原子化器温度、载气流速、KBH4 浓度等条件对流动注射 氢化物发生 原子吸收光谱法 (FI-HG -AAS)测定硒时的影响。建立了FI-HG -AAS测定大米中硒的分析方法。在优化的工作条件下 ,测定硒的最低检测浓度为 0 3 3 μg·L- 1,线性范围为 0～ 5 0 μg·L- 1,相对标准偏差小于 4% ,加标回收率为 94%～ 1 0 2 %。本法克服了传统的间断氢化物发生 原子吸收光谱法分析速度慢、样品耗量大、操作繁琐且因手工进样在进样速度和进样体积上容易带来误差等缺点。方法操作简便、快速 ,灵敏度及自动化程度高 ,已广泛应用于大米及富硒大米中微量硒的测定     

SJTU-1型新型医用超声设备声输出测量系统通过鉴定

2003年2月27日由国家药品监督管理局医疗器械司委托全国医用电器标准化技术委员会组织,在上海市举行了SJTU-1型医用超声设备声输出测量系统的技术成果鉴定会。由王威琪院士、冯若教授、张德俊教授为主任委员的鉴定委员会,对此项成果进行了测试和技术鉴定,认为SJTU-1型医用超声设备声输出测量系统的技术指标达到了同类系统的国际先进水平,某些功能优于国外同类系统。     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.