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101.
在没有散热措施的情况下,大功率LED芯片的温度迅速升高,当结温超过最大允许温度时,大功率LED会因过热而损坏。大功率LED灯具设计中,最主要的设计工作就是散热设计。利用LED半导体器件的结电压与结温具有良好的线性关系的特性,通过测量大功率LED工作时的正向压降,工作电流,恒温箱温度和热衬温度,采用的电学参数法,实现了大功率LED热阻的自动测量。设计并制作了大功率LED热阻自动测量仪,快速、准确的测量了LED晶片到热衬的热阻。六种不同规格LED晶片到热衬的热阻测量值与计算值之间的误差小于10%。热阻测量值普遍高于理论计算值,说明LED制造工艺水平还有很大的提升空间。 相似文献
102.
103.
研究了0.8 μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50 rad (Si)/s的60Co γ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势. 研究结果表明, 经过制造工艺和版图的优化设计, 在不同剂量条件下, 该样品均不产生线性区kink效应. 由碰撞电离引起的kink效应, 出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大. 在高剂量辐照条件下, 背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象, 这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的. 相似文献
104.
105.
河南省林州市石板岩乡有一处奇特的山洞,每逢到了夏季,天气越热,山洞内就会出现结冰的现象,而到了冬季洞内的冰却渐渐融化成水。冰冰背夏天结冰,冬天无冰的奇特自然现象,可谓是大自然的一部杰作。虽然专家给出了关于"冰冰背"形成原因的一些推测,但是基于目前技术条件的限制,对于"冰冰背"真正的成因还没有一个准确的定论。本文根据物理学中的节流原理提出的制冷模型,说明了冰冰背的成因,从当地地形、地质构造及气候条件等因素来看,该模型符合物理学的节流原理条件。 相似文献
106.
为了改善电感耦合等离子体原子发射光谱质量,降低分析检出限,实验研究了在水样品中加入钾添加剂以后对光谱强度、信背比的影响,并通过多谱线斜率法和Stark展宽法分别测量了等离子体的激发温度和电子密度。实验结果表明,当水溶液样品中加入钾添加剂以后,等离子体光谱强度有不同程度的增强。在钾含量为1.0g.L-1时,元素Al,Cr,Cu,Mn,Ni和Zn的谱线强度比无添加剂时分别提高了8.62%,32.29%,108.45%,6.06%,64.98%和54.99%,光谱信背比分别提高了7.90%,30.95%,104.60%,5.21%,66.00%和52.82%。在样品中钾含量为1.0g.L-1的条件下,等离子体的激发温度比无添加剂时提高了239.69K,而电子密度提高了4.99×1011 cm-3。可见,钾添加剂能够提高电感耦合等离子体发射光谱质量。 相似文献
107.
基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持. 相似文献
108.
表面活性剂协同微波提取紫背天葵色素的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
从紫背天葵(begonia fimbristipula hance)中提取了紫背天葵色素,并优化了提取条件;提取剂为0.03%(w)的K12-45%(φ)乙醇水溶液,用量为每克原料加入30mL提取剂,微波功率为464w,提取时间为200s,提取次数为2次提取率为94.8%,产率为9.31%;色价E(1%,510nm)为23.7.产品pH值为6.4与溶剂浸提法相比,每次提取时间减小36倍,提取率增加22.3%。 相似文献
109.
微波场协同提取紫背天葵色素的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了微波提取紫背天葵(Begonia fimbristipula Hance)色素的新工艺,并确定了最佳工艺条件:提取剂为φ(C2H5OH)=60%的乙醇,提取剂与原料用量比为1:60,微波功率为648W,提取时间为200s,提取次数为2次。最佳工艺条件下的色素提取率为96.8%,产率为9.98%,色价E(1%,526m)为10.5,产品pH值为6.5。与溶剂浸提法相比,微波法提取紫背天葵色素的每次提取时间由24h减少到200s,提取率从95.9%增加到96.8%。 相似文献
110.