MgxZn1-xO单晶薄膜的结构和光学性质

用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜。在0≤x≤0．2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到,随着Mg含量的增加,薄膜的品格常数C由0．5205nm减小到0．5185nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射(NBE)峰,没有观察到深能级(DL)发射,且随着Mg的掺入量的增加,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动,这与室温下光致发光的结果是相吻合的,并计算出随着x值增加,带隙宽度从3．338eV逐渐展宽到3．682eV。通过研究Mg0.12Zn0.88O样品的变温光谱,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。     

太阳盲MgZnO光电探测器

利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构.在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm,截止边为230nm.     

Fe掺杂对CdS光学特性的影响

采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270~360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小,但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分:2.5eV附近带-带跃迁的发光以及2.0~2.4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加,带-带跃迁逐渐被抑制,发光光谱被缺陷相关的发光主导,同时薄膜的电导也由n型转为p型,说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量,我们将2.0~2.4eV的发光归结为铁受主相关的D-A对发射,并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。     

用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜

报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向(0002)的ZnO薄膜。通过X-ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构,择优取向,晶粒尺寸大约在220nn.并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好、结晶度高的ZnO薄膜。     

糖脂功能化聚二乙炔Langmuir-Schaefer薄膜与大肠杆菌的分子识别及动力学过程研究

在气液界面上研究了α-D-甘露糖苷-十六烷(MC₁₆)与10,12-二十五碳双炔酸混合单分子膜行为,二者具有较好的互溶性.在疏水的玻璃衬底上用Langmuir-Schaefer(LS)薄膜技术制备单层MC₁₆/PDA薄膜,研究了这种仿生薄膜与大肠杆菌jm109的相互作用.大肠杆菌jm109对MC₁₆修饰的聚二乙炔LS薄膜的吸附,使薄膜颜色由蓝色变为红色,用紫外-可见吸收光谱可进行定量检测.动力学研究显示比色响应值随时间的增加而增加,3min内即有显著变化,15min后趋于饱和,20min后CR值达到28%,进一步探讨了分子识别的动力学过程.     

8—羟基喹啉铝的荧光老化机制

报导了８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）在紫外光照射下发生荧光猝灭的机制,测量了Ａｌｑ３在光照射前后的紫外－可见吸收光谱、荧光光谱、红外吸收光电子能谱（ＸＰＳ）,分析了紫外光照射后Ａｌｑ３分子结构变化,证明了产生结构变化的根源是中水与Ａｌｑ３发生了化学反应,对Ａｌｑ３的我老化机制提出了可能的解释。     

电场调制下单量子阱ZnCdSe／ZnSe的激射行为研究

近年来,随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］,对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２,３］,同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...     

Mn掺杂ZnO柱的结构及光学性质

采用电化学沉积方法在Si(111)衬底上制备出了Mn掺杂的ZnO柱,长度约为500~600 nm,直径为200~300 nm。通过XRD和XPS的表征可以判断出:Mn2+离子代替部分Zn2+离子进入了ZnO晶格,Mn离子的掺杂量为2%。样品的共振拉曼谱表明:由于Mn2+离子进入了晶格,导致ZnO的1LO和2LO光学纵向声子向高频移动。在He-Cd激光器325 nm激发下,可以观测到光谱中存在两个发光谱带,分别位于可见区和紫外区。     

Growth and optical characteristics of ZnCdSe/ZnSe QWs on Si substrate with ZnO buffer

In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnO-Si (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for the ZnCdSe/ZnSe QWs growth. Scanning electron microscopy (SEM) patterns showed that the ZnO buffer layer improved the smoothness of the ZnCdSe/ZnSe sample. Up to the 3rd longitudinal optical phonon of Zn0.56Cd0.44Se observed in Raman spectra suggests that the crystal quality of ZnCdSe/ZnSe QWs is reasonably good. The influence of quantum confinement effect on exciton characters of the QWs was also demonstrated.     

Spectroscopy of the Forming Process of Quantum Dots Accompanied by the Thinning of Wetting Layer

A series of Cd0.44Zn0.56Se/ZnSe sandwich structures with different Cd0.44Zn0.56Se embedded layer thicknesses were fabricated by metal organic chemical vapor deposition. When the embedded layer thickness exceeded 3.0 nm, the photoluminescence spectra of the sample changed into the two-band structure from the one-band structure, and atomic force microscopy images indicate that Cd0.44Zn0.56Se quantum dots were formed. In the two-band photoluminescence spectrum, the band at the low energy side was attributed to be from quantum dots, and the high-energy one arose from the wetting layer. Thinning of the wetting layer with quantum dots forming was confirmed indirectly by the significant blue shift of the wetting-layer photoluminescence band compared to the photoluminescence band of the samples for which the Cd0.44Zn0.56Se layer thickness was less than 3.0nm. This thinning arose from mass migration during the Stranski-Krastanow growth of Cd0.44Zn0.56Se quantum dots.