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101.
基于二次乳化技术产生W1/O/W2双重乳液,采用乳液微封装技术制备聚--甲基苯乙烯(PAMS)空心微球,研究了部分工艺参数对PAMS微球缺损形态和比例的影响。实验结果表明:薄壁微球的低强度导致了微球表面缺损。当微球壁厚一定时,有3个因素影响缺损微球比例:W2相中聚乙烯醇质量分数、CaCl2质量分数和O/W2的相比,当它们分别为1.0%,1.5%,0.01时,薄壁(2 m)微球的缺损比例低于40%,球壳内也无气泡存在。 相似文献
102.
在聚苯乙烯(PS)-聚乙烯醇(PVA)-碳氢聚合物(CH)三层球的设计中制备PVA涂层的方法主要包括乳液微封装法、炉内成球涂层法、浸(旋)涂法、界面缩聚法及喷涂法等,前三种方法目前最为常用。总结了前三种制备PVA涂层方法的优缺点及目前的研究和制备现状。乳液微封装法适合于500 m以下小尺寸双层球的制备,具有微球成活率高、产品质量较好等优点,但制备过程受人为因素影响较大,且不易制备大直径双层球。炉内成球涂层法也适用于小尺寸双层球的制备,其制备周期短,但液滴发生器的设计苛刻,PVA层的均匀性差,且不易制得较大尺寸的双层球。浸(旋)涂法可制备1000 m以上的大直径双层球,但该方法中影响PVA涂层铺展的因素较多,得到的PVA涂层均匀性较差,且涂层很薄。 相似文献
103.
为实现对惯性约束聚变(ICF)靶用空心玻璃微球(HGM)质量及性能的有效调控,研究了精炼温度对HGM批次产品中A级HGM百分数的影响,实验测试了不同精炼温度条件下HGM批次的平均直径和壁厚、抗张强度、对氘气的保气性能、表面粗糙度及其随时间的变化。测试结果表明:升高精炼温度并不是总有利于提高HGM的质量和性能; 当精炼温度低于1600 ℃时,满足ICF物理实验参数要求的HGM百分数随着精炼温度的增高而增加,但是,当精炼温度高于1600 ℃时,HGM的合格率则随着精炼温度的增高而显著下降; 随着精炼温度的升高,HGM的抗拉强度快速提高,表面粗糙度快速下降; HGM在室温下对氘气的阻气能力快速下降,且在大气中的潮解速率和程度显著降低。 相似文献
104.
为实现干凝胶法制备惯性约束聚变靶用空心玻璃微球(HGM)炉内成球工艺过程的有效控制,从数值模拟和工艺实验两个方面研究了干凝胶粒子直径、比热容、发泡剂质量分数和辐射吸收系数对干凝胶粒子炉内成球过程及最终HGM性能参数的影响。结果表明,随着干凝胶粒子直径和/或比热容的增大,干凝胶粒子在吸热封装阶段的升温速率显著降低,在炉内成球过程各工艺阶段的停留时间快速下降,尤其是在精炼阶段的停留时间急剧缩短。降低干凝胶粒子的比热容和/或提高干凝胶粒子的发泡剂质量分数,HGM的直径和壁厚均匀性增大,高质量空心球的比例也相应提高。干凝胶粒子的辐射吸收系数变化对炉内成球过程几乎没有影响。 相似文献
105.
研究了由Okamoto腔产生的大功率微波诱导空气等离子体的分析性能以及用该等离子体直接有机溶液进样测定有机溶剂或含有大量有机溶剂的废水中的金属污染物的可行性。用本方法测定了几种工业废水中的金属污染物,并与原子吸收光谱法的测定结果进行了比较。 相似文献
106.
由于碳化硼陶瓷具有强度高,耐高温等诸多优点,因此碳化硼陶瓷微球可实现微球的高压充气,但碳化硼微球不利用碳化硼陶瓷材料直接发泡成球,故采用先驱体聚合物转化法制备出聚合物微球,再陶瓷化得到碳化硼陶瓷微球。聚间亚苯基硼是一种较好的制备碳化硼陶瓷的先驱体聚合物,而制备聚合物微球时先驱体聚合物需要达到一定的分子量。利用改进的有机金属路线合成得到了较高产率的大分子有机硼烷.聚间亚苯基硼。 相似文献
107.
108.
用燃烧法成功合成了Zn2 -xSiO4∶xMn(0≤x≤ 0 .10 )粉末样品并表征了其发光特性。XRD测量结果表明 ,在 6 0 0℃下燃烧数分钟、90 0℃以上进行热处理 4h后 ,所得样品为单相Zn2 -xSiO4∶xMn(0≤x≤ 0 .10 ,Willemite)。监控 5 2 5nm发射 ,测得Zn2 -xSiO4∶xMn(0 相似文献
109.
以四氯乙烯作萃取剂,以四氢呋喃为分散剂对水样中4种环境激素甲草胺、乙草胺、三唑酮和三唑醇进行分散液液微萃取。提取液用气相色谱-质谱法测定。4种环境激素的质量浓度与其相应峰面积均在0.05~100μg.L-1范围内呈线性关系。甲草胺、乙草胺、三唑酮和三唑醇的检出限(3S/N)分别为0.016,0.015,0.023,0.032μg.L-1。在0.2,2.0mg.kg-1两个添加水平下进行回收试验,4种环境激素的回收率在86.8%~118%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在2.1%~6.2%之间。 相似文献
110.
采用高温固相法制备了2个系列的荧光粉样品:Ba2-xZnGe2O7∶xBi3+(系列Ⅰ)和Ba1.994-yKyZnGe2O7∶0.006Bi3+(系列Ⅱ)。X射线衍射(XRD)测试结果表明,少量Bi3+、K+的掺杂不会明显改变材料的物相结构。样品的荧光光谱测试结果表明,虽然2个系列样品的发光光谱都随组成成分变化有少量变化,但发光颜色基本上均为黄绿色。在358 nm的激发下,荧光粉的发射光谱呈现一个峰值在 500 nm 的宽发射带,归属于 3P1→1S0能级跃迁。在 500 nm 监测下,荧光粉的最强激发峰位于 358 nm,归属于1S0→3P1能级跃迁,此外还有一个位于320 nm的肩峰归属于O2--Bi3+电荷转移带。系列Ⅰ样品的光谱数据结果指出,Bi3+的最佳掺杂量x为0.006。在该基质中,Bi3+掺杂取代Ba2+属于不等价取代,会在晶格中产生Ba2+空位或间隙O2-,对材料的发光强度产生负面影响。对此,采用K+与Bi3+协同掺杂起到电荷补偿的作用,填补Ba2+空位或捕获间隙O2-缺陷。空位被填补或间隙被捕获均减少了晶格畸变,从而使发光强度明显提高。系列Ⅱ样品的光谱数据表明,完全电荷补偿的荧光粉样品相比于没有掺K+的样品,其发光强度提高了约2.5倍。 相似文献