Heusler合金CO2CrGa(100)的表面结构、磁性和自旋极化

基于第一性原理计算,我们系统地呈现了三元合金Co2CrGa(100)表面的原子弛豫、磁性、电子结构以及表面原子极化行为.结果显示,由于Co-Ga和Co-Cr成键的差异,表面的Co和Cr原子分别向内层收缩和向外部真空层伸展.与块体相比较,表面Co和Cr原子的自旋磁矩由于局域性的提升而明显增大.在研究的Co2CrGa(100)不同原子端面中,可以观察到块体中的半金属带隙在CoCo和GaGa原子端面被大量的表面态所破坏,仅仅在CrGa和CrCr原子覆盖的端面,检测到100％的理想极化,预测其在隧道结中可能具有较佳的应用潜力.     

Heusler合金Co2CrGa(1 0 0)的表面结构、磁性和自旋极化

基于第一性原理计算,我们系统地呈现了三元合金Co2CrGa (100)表面的原子弛豫、磁性、电子结构以及表面原子极化行为。结果显示,由于Co-Ga和Co-Cr成键的差异,表面的Co和Cr原子分别向内层收缩和向外部真空层伸展。与块体相比较,表面Co和Cr原子的自旋磁矩由于局域性的提升而明显增大。在研究的Co2CrGa(100)不同原子端面中,可以观察到块体中的半金属带隙在CoCo和GaGa原子端面被大量的表面态所破坏,仅仅在CrGa和CrCr原子覆盖的端面,检测到100%的理想极化,预测其在隧道结中可能具有较佳的应用潜力。     

(PbSn)n(n=1～10)合金团簇稳定性及金属性的研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了合金团簇(PbSn)n(n=1～10)的稳定性及金属性.结果显示:同比例铅锡合金团簇具有与单质铅、锡团簇相同的幻数尺寸,但结构特点却与单质团簇不同,铅、锡原子间首先各自形成单质团簇,然后再结合成合金团簇,且表现出松散型与密堆积型的有机结合.另外,(PbSn)n(n=1～10)团簇构型在N=14处发生突变:类似于密堆积构型向层状转变,同时HOMO-LUMO能隙具有先增大后减小的趋势,并出现微弱的半导体向金属转变的行为,而且团簇原子总数为20的HOMO-LUMO能隙较相同尺寸单质团簇的还低,说明合金团簇具有比单质团簇更好的导电性.     

Impulsive control of chaotic systems and its applications in synchronization

In this paper,some novel sufficient conditions for asymptotic stability of impulsive control systems are presented by comparison systems.The results are used to obtain the conditions under which the chaotic systems can be asymptotically controlled to the origin via impulsive control.Compared with some existing results,our results are more relaxed in the sense that the Lyapunov function is required to be nonincreasing only along a subsequence of switchings.Moreover,a larger upper bound of impulsive intervals for stabilization and synchronization is obtained.     

RLC暂态电路的理论分析和数值模拟

利用Maple符号计算软件做RLC电路方程的拉普拉斯变换,得到电路的精确解,绘制解的图像,并且理论分析了这些解的特点,得到了一些有助于教学应用的结论.     

一个组合几何命题的重新证明

1 一个几何定理溯源 文献[1]证明了杨路教授提出的如下问题: 定理1 一个平面凸四边形,经过其中三个顶点可作一个圆,这样可得到4个圆(不排除其中有重合).如果这4个圆中有3个是等圆,则此4顶点共圆.     

HIRFL-CSRm冷却束流寿命

实验研究了HIRFL-CSRm中电子冷却装置对C6+,Ar15+两种束流寿命的影响。首先,通过对比实验的测量确定电子冷却可以有效提高束流寿命;其次,探究了电子冷却装置中的各项参数（主要是电子束密度分布、流强、能量、绝热展开因子）是如何影响束流寿命的,通过改变电子束参数,测量束流寿命的变化趋势和规律,并且结合电子冷却相关理论对实验结果给予解释,最终通过实验优化和确定最佳的冷却装置参数,使束流在HIRFL-CSRm上获得了较高的寿命,从而提高HIRFL-CSRm束流累积过程中的流强增益。     

IOTEST在某型模拟对抗终端嵌入式软件测试中的应用

由于嵌入式系统对功能和性能的高要求,对嵌入式软件进行测试存在一定难度。嵌入式系统通过各种不同类型的接口与外界实现交互,故而对嵌入式系统的接口进行测试,是保证嵌入式软件质量的重要途径。以某型模拟对抗终端嵌入式软件为例,根据该型终端的特点,对基于IOTEST实现嵌入式软件测试的自动化进行研究。依照测试需求分析、测试环境搭建、测试建模、变量配置、测试脚本编写、测试执行的测试步骤和方法,通过测试实现过程详细说明了IOTEST在嵌入式软件测试中的应用。测试结果表明,IOTEST能够对嵌入式系统接口的正确性、实时性和可靠性进行有效地测试,该工具在测试过程中具备良好的实用性和通用性。在嵌入式软件的测试过程中合理使用IOTEST,可以有效提高测试效率,保证软件质量。     

Te基远红外硫系玻璃光纤的制备及性能分析

随着光学技术由可见向中、远红外等长波长领域的发展,可透远红外的玻璃光纤研究成为近年来光学领域的发展热点之一.传统含Se的Te基硫系光纤无法工作于12μm以上的远红外.本文研究了新型GeTe-AgI硫系玻璃体系的提纯制备,利用挤压技术,制备了阶跃型GeTe-AgI远红外光纤,其光学损耗为:15.6 dB/m@10.6μm,整体低于24 dB/m@8—15μm.在实验过程中,首先采用传统的熔融-淬冷法和蒸馏纯化工艺制备了GeTe-AgI高纯玻璃样品.利用差示扫描量热仪、红外椭偏仪、红外光谱仪等测试了玻璃的物理性质和红外透过性能,分析了提纯工艺、AgI原料纯度对玻璃形成以及透过的影响,最后采用分步挤压法制备了芯包结构光纤.实验结果表明:蒸馏提纯和AgI原料纯度对玻璃的透过性能有着决定性的影响,同时Te含量的增加影响了玻璃的抗析晶能力,但新型挤压制备工艺和有效提纯技术共同保障了较低损耗Te基光纤的制备,所获得的GeTe-AgI光纤具有远红外宽谱应用的潜能(工作波段5.5—15μm)并且绿色环保,可以满足CO_2激光的能量传输和远红外传感应用.     

三维十五点格子Boltzmann模型仿真

格子气和格子Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方法的迅速发展提供了一类求解流体力学问题的新方法。格子Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方法在保留了格子气模型优点的同时,克服了它的不足之处。本文讨论了一种三维十五点格子Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ模型,通过选择适当的平衡分布及参数,并用Ｃｈａｐｍａｎ－Ｅｎｓｋｏｇ展开和多尺度技术导出了Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程．在微机上模拟了工程中比较常见的管排绕流问题,并与实验观察到的结果进行了比较,结果表明该模型能较好的模拟复杂流动现象,并具有较好的工程应用背景。