EPDM/PP热塑性弹性体在循环应力下的老化行为研究

本文研究了动态硫化EPDM/PP热塑性弹性体的动态疲劳老化行为,考察了其力学性能的变化,并分析了产生力学性能下降的原因。实验结果表明,随着疲劳时间的延长、疲劳振幅的增大,材料的断裂强度降低,并认为疲劳过程中完全硫化的EPDM橡胶粒子和热塑性塑料PP界面处的分子链断裂、滑移导致了断裂强度的降低;紫外光的加入,加速了材料在疲劳过程的分子链断裂、滑移速率,使材料的断裂强度有更大程度的降低;在机械疲劳老化单独作用下,材料体系几乎没有发生氧化反应,而紫外光的加入,促使了机械疲劳老化过程中氧化反应的发生。     

聚合物体系拉伸流变行为的表征及研究进展

聚合物的拉伸流动在吹膜、纺丝、热成型等加工中扮演着支配的角色,因此掌握聚合物熔体在拉伸条件下的流动行为对于控制和预测其加工性能具有重要意义。相对于剪切流动,拉伸粘度对于大分子的结构、填充粒子的各向异性、共混物中两相的结构等更加敏感。本文简要介绍了当前用于拉伸流变研究的常用装置及其原理,并举例描述了单一组分聚合物、聚合物纳米复合材料和聚合物共混物等体系拉伸流变研究的现状和成果,最后指出了当前拉伸流变研究领域存在的一些不足之处并进行了展望。     

振荡剪切流场下PS/PVME/SiO2复合物的相行为

利用光学显微镜-剪切台联用系统研究了振荡剪切流场下聚苯乙烯（PS）/聚甲基乙烯基醚（PVME）/二氧化硅（SiO₂）纳米粒子复合物的热力学稳定性. 结果表明,小振幅振荡剪切可导致PS/PVME共混物出现类似在稳态流场下的剪切诱导相容及剪切诱导相分离现象. 共混体系存在临界振荡频率ω_c,当振荡频率低于ω_c时,发生剪切诱导相分离（SID）行为,反之发生剪切诱导相容（SIM）行为. SiO₂纳米粒子的加入使复合体系的相容性提高. 存在一个临界SiO₂纳米粒子含量φ_c,当SiO₂纳米粒子含量高于φ_c时,复合体系中不存在临界振荡频率ω_c,低振荡频率下的剪切诱导相分离得到抑制. 此外,复合体系的上述行为与升温速率和共混物组成密切相关.     

SiO2纳米粒子对受限流场下聚异丁烯/聚二甲基硅氧烷共混物相形态的影响

利用显微-光学剪切联用系统构造受限剪切环境,探讨了少量不同表面性质的SiO2纳米粒子的加入对聚异丁烯(PIB)/聚二甲基硅氧烷(PDMS)不相容共混体系分散相形态演变过程的影响.研究结果表明,少量疏水性SiO2纳米粒子的加入可抑制分散相液滴的凝聚,从而抑制珍珠链状及纤维状等超级相形态的形成,使共混物表现为近似本体流体的...     

光散射在高分子溶液和聚集态研究中的应用

本文较为详细的综述了光散射在聚合物研究中某些领域内的应用，并着重介绍了光散射在聚合物凝胶领域、聚合物稀溶液中、聚合物相行为领域以及聚合物加工领域中的发展历史和研究现状。     

基于聚乙二醇结构调控高分子量聚乳酸立构复合体系的结晶行为

设计合成了梳形聚(聚乙二醇甲醚丙烯酸酯)(PPEGA)及其与聚乙二醇(PEG)的嵌段共聚物(PEG-b-PPEGA).通过与高分子量左旋聚乳酸(PLLA)和右旋聚乳酸(PDLA)共混探究了PEG不同的结构对PLA立构复合体系(sc-PLA)结晶的影响.结果 表明线形PEGA和PEG能与sc-PLA完全相容,两者均能促进...     

高熔体强度聚乳酸的研究进展

聚乳酸(PLA)具有完全可再生、完全可降解、生物相容等优异的综合性能,在一次性餐具、日用品、包装材料、纺丝和3D打印等领域具有广阔应用前景。但是,由于PLA是直链脂肪族聚酯,其熔体强度低,导致PLA在使用发泡、熔融纺丝、吹膜、热成型等基于拉伸流动场的加工成型方法时工艺性能较差。因此,提高PLA的熔体强度对于改善其加工性能和促进其产业化推广具有重要的意义。本文综述了改善PLA熔体强度的技术研究进展,主要包括共聚技术、扩链改性技术、自由基反应技术和纳米技术等。     

用于光致抗蚀剂的聚对羟基苯乙烯的合成及其进展

随着集成电路芯片的发展,生产物理和化学性质均一的高分子光阻剂得到了各信息产业国的重视.到目前为止,含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂已成为光刻蚀0.11μm线宽芯片的关键技术.本文综述了目前合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂的各种方法,在此基础上比较了各种合成方法的优缺点,为合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂提供了必要的指导.     

纳米SiO_2对PDMS/PIB不相容共混物在低剪切速率下凝聚行为的影响

借助在线剪切-显微装置研究了简单剪切流场下疏水纳米二氧化硅(SiO2)粒子对聚二甲基硅氧烷/聚异丁烯(PDMS/PIB=90 wt%∶10 wt%)不相容共混物实时结构演变过程的影响.研究表明,分散相尺寸的大小及其分布由粒子含量和剪切速率共同决定.少量纳米SiO2的加入能够抑制PIB分散相的凝聚,分散相的尺寸随着纳米SiO2含量的增大而减小,并且呈现出双峰分布.但随着SiO2粒子含量的进一步增加,分散相尺寸的双峰分布现象逐渐消失.SiO2的加入还导致PIB分散相对剪切速率的依赖性降低.当SiO2粒子含量低于2.5wt%时,较高的剪切速率凝聚得到的分散相的尺寸较大;当SiO2粒子含量超过2.5 wt%后,低速和高速剪切速率下凝聚得到的分散相尺寸基本相同.粒子的包覆、分散相的破碎和凝聚是出现以上现象的根本原因.