g-C3N4/Bi2S3复合材料宽光谱光电探测器制备及其性能研究

通过热聚法制备了g-C3N4和Bi2S3纳米材料,在室温下进一步利用溶液法得到了g-C3N4/Bi2S3复合结构.采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的表面形貌和晶体结构进行了表征,结果表明复合Bi2S3后并没有破坏g-C3N4本身的片层结构,且g-C3N4/Bi2S3复合结构仍然具有较好的结晶质量.基于g-C3N4...     

BiI3修饰Cs3Bi2I9自供能光电化学型探测器制备及其性能

在溶液法合成Cs₃Bi₂I₉前驱体溶液的基础上，采用添加BiI₃修饰Cs₃Bi₂I₉溶液的方法后得到Cs₃Bi₂I₉/BiI₃薄膜并制备出具有自供能特性的Cs₃Bi₂I₉/BiI₃薄膜光电化学型探测器。结果表明，添加的BiI₃以第二相形式存在于Cs₃Bi₂I₉薄膜中，形成两相混合结构。在紫外光(365nm)单色光照射下，Cs₃Bi₂I₉/BiI₃探测器的开关比达到3198，响应度和探测率分别为2.85×10^-3A/W和3.77×10¹⁰Jones...