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V-Bi复合氧化物的合成和光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用凝胶溶胶法和微波制备法合成了K-Bi复合氧化物,用FTIR,NIR FT-Raman和XRD对其进行研究。 相似文献
12.
在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度.通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧烯层厚度变化的情况.测试结果表明,修饰后的器件阈值电压为-3.55 V,电流开关比大于105,迁移率达到0.0558 cm2/V·s,亚阈值摆幅为1.95 V/dec,器件总体性能得到改善. 相似文献
13.
具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文合成了一些具有Keggin结构的P-V-Mo-W四元杂多阴离子「PVxMoyW12-x-yO40」^(3+x)-的化合物(其中,x=1,2和3),并对其进行红外和拉曼光谱研究,可看到化合物的νas(M=Od)、νas(M-Ob-M)和νasM-Oc-M)的红外伸缩振动峰随着V原子数目的增加而红移;而钨原子数目的增加一般使之蓝移,但在所研究的PV2Mo9W和PV3Mo8W杂多化合物却出现略为反常 相似文献
14.
A novel complex [Ce(NO3)5(H2O)2]·2(Hphen)·(H2O) (phen =1,10-phenanthroline) with formula C24H24CeN9O18 and Mr = 866.64 has been synthesized and structurally characterized by X-ray diffraction. It crystallizes in triclinic, space group Pī with a = 7.5534(2), b = 8.083(2), c = 25.8377(6) A, α = 86.847(1), β = 89.937(1), γ = 86.981(1)o, V = 1572.94(6) A3, Dc = 1.830 g/cm3, F(000) = 866, β = 1.545 cm-1 and Z = 2. The final refinement gave R = 0.0486 and wR = 0.1278 for 4852 observed reflections with I > 2σ(I). It consists of discrete [Ce(NO3)5(H2O)2]2- anion, two Hphen+ cations and a lattice water molecule. In the compound, all of the five nitrates are bidentate, and the coordination of Ce(III) is 12. The photo-luminescence of this compound was also investigated. 相似文献