Revisiting the Twist-3 Distribution Amplitudes of K Meson Within the QCD Background Field Approach

In the present paper, we investigate the kaon twist-3 distribution amplitudes (DAs) φ p,σ K within the QCD background field approach. The SU f (3)-breaking effects are studied in detail under a systematical way, especially the sum rules for the moments of φ K p,σ are obtained by keeping all the mass terms in the s-quark propagator consistently. After adding all the uncertainties in quadrature, the first two Gegenbauler moments of φp,σ K are a K,p 1 (1 GeV)=0.376-0.148+0.103, a K,p 2(1 GeV) =0.701-10.491+0.48 , a K,σ1 (1 GeV) = 0.160-0.074+0.051, and a K,σ 2(1 GeV)=0.369-0.149+0.163 , respectively. Their normaliza- tion parameters μ K p |1 GeV=1.188-0.043+0.039 GeV and μ K σ |1 GeV=1.021-0.055+0.036 GeV. A detailed discussion on the properties of φ p,σ K moments shows that the higher-order s-quark mass terms can indeed provide sizable contributions. Furthermore, based on the newly obtained moments, a model for the kaon twist-3 wavefunction Ψ p,σ K (x, k ⊥ ) with a better end-point behavior is constructed, which shall be useful for perturbative QCD calculations. As a byproduct, we make a discussion on the properties of the pion twist-3 DAs.     

6061铝合金微弧氧化陶瓷层生长速度的研究

以变形铝合金6061为试验材料,采用MAO240／750微弧氧化设备、TT260测厚仪和JSM6460扫描电子显微镜,研究了电流密度、占空比、样品尺寸和溶液温度等因素对铝合金微弧氧化陶瓷层生长速度的影响。结果表明：陶瓷层厚度随着时间的延长而线性增大,电流密度越大,陶瓷层生长速度越快,在相同时间内样品表面所达到的电压越高,电压的升高提高了陶瓷层被击穿继续发生内部氧化的能力;占空比大小对陶瓷层生长速度几乎无影响,而电压随着占空比的减小发生微小的上升;恒流氧化时,虽然陶瓷层的生长速度不随样品尺寸变化,但是电压随样品尺寸增大而升高;随着溶液温度的升高,溶液的导电能力增强,陶瓷层的生长速度变快。     

标准模型中两类中性玻色子混合圈链图传播子的重整化及其e+e-→μ+μ-反应截面

采用电弱统一标准模型, 对光子γ和中间玻色子Z₀ 混合圈链图传播子的构架方式及其重整化问题作了详细分析与讨论, 并完成了有关解析计算, 获得了由参与电弱相互作用的各种混合圈构成的γ和Z₀的重整化链图传播子的解析计算结果. 此外, 我们还将此结果应用于高能物理中备受关注的一类轻子反应e⁺e^-→μ⁺μ^-中, 获得了在γ和Z₀所构架出的重整化混合圈链图传播中e⁺e^-→μ⁺μ^-反应截面的解析计算结果, 并将本文所获得的这一理论计算结果与实验观测值作了对比分析, 发现本文理论计算结果与实验观测值符合非常好, 并由此也获得了有关辐射修正的重要信息. 本文研究结果也可为探讨一般复杂传播子的理论研究与应用提供某些参考. 关键词： 标准模型 链图传播子 重整化 辐射修正