排序方式： 共有16条查询结果，搜索用时 15 毫秒
11.
Ba_2MgGe_2O_7∶Cr~(4+)晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式。在这个公式中,除了与d—d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑。将这个公式应用于Ba2MgGe2O7∶Cr4 晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动Δg(=g-2.002 3)的贡献ΔgCT在符号上与晶场机制的贡献ΔgCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%。因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献。 相似文献
12.
推导了晶体中立方(Oh对称)的3d3八面体基团的g因子的高阶微扰公式;其中,既包括了传统的晶场机制(涉及与d—d跃迁光谱有关的晶场激发态与基态的相互作用)的贡献,也包括了以前在晶体场理论中被忽略的荷移机制(涉及与电荷转移光谱有关的荷移激发态与基态的相互作用)的贡献。采用这个公式和由CaZrO3∶Mn4 晶体光谱所得的参量,文章计算了该晶体的g因子(也包括了d—d跃迁光谱),计算结果与实验值能很好地吻合一致。计算中发现,荷移机制对g因子移动Δg(≈g-2.0023)的贡献在符号上与晶场机制的贡献相反,但大小已达到晶场机制贡献的62%。这表明,对晶体中高价态的3d3离子(如Mn4 和Fe5 )八面体基团,合理地解释其g因子(或其他电子顺磁共振谱参量)应同时考虑晶场机制和荷移机制的贡献。 相似文献
13.
许多光学现象如低强光下的电光效应、光弹效应,高强光下的光混频以及一些光散射效应,都在非线性光学之列.其中二阶非线性光学过程在非线性光学器件、远距离通讯和光混频中有着广泛的应用,因而研究十分活跃.但是,迄今多数研究限于无机绝缘体和半导体,因为人们对无机电介质的介电、压电、铁电性质,以及半导体中的输运现象的研究比较深入,对这些材料的性能比较熟悉. 七十年代以来,有机分子晶体和共轭聚合物晶体的非线性光学性质引起人们极大的兴趣.因为有机材料的二阶非线性光学系数极高(在许多情况下,比最好的无机晶体如KDP和LiNbO3高一个… 相似文献
14.
文献介绍了一种简便的平面干涉仪演示装置.我们在实践中感到,如用一块普通的毛玻璃代替半球透镜作扩束器,也能观察到同样的干涉圆环.具体作法是:让激光束通过毛玻璃后穿过白纸屏上的小孔,再照射 相似文献
15.
海面油膜有减弱海浪的作用,这在几个世纪以前就为人们所发现并加以利用.富兰克林最先对此现象作过定性描述.以后,瑞利指出,这种悬浮膜仅是一种单分子层薄膜.本世纪三十年代,朗缪尔和布洛奇特发明了一种技术[1],可将这种悬浮的单分子膜转移到固体表面,形成分子规则排列的单层膜和多层膜(可达几百层).这就是朗缪尔-布洛奇特薄膜(简称LB薄膜). 对LB薄膜的早期研究主要集中在表面化学和测定大分子的分子量方面,实际应用不多.因此,第二次世界大战以后,这类研究就渐趋沉寂.近年来,由于制膜技术的提高,制膜材料的扩大和薄膜性质研究的进展,使LB… 相似文献
16.