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采用碳布(CC)为柔性基底,通过水热法制备了MnO2/CC及N掺杂MnO2/CC无黏结剂负极材料,借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、比表面积测试和恒电流充放电对材料进行了结构表征及电化学性能测试。结果表明N掺杂MnO2/CC具有良好的倍率性能和循环稳定性。在0.1 A·g-1的电流密度下,其首次充电比容量为948.8 mAh·g-1,经过不同倍率测试后电流密度恢复至0.1 A·g-1时仍然保持有907.9 mAh·g-1的可逆比容量,容量保持率为95.7%。在1 A·g-1的大电流密度下,其首次充电比容量为640.3 mAh·g-1,循环100次后仍然保持有529.9 mAh·g-1的可逆比容量,容量保持率为82.8%,可逆比容量远高于商用MnO2。 相似文献
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以Na2WO4·2H2O和Bi(NO3)3·5H2O为原料,用微波水热法在140~200 ℃保温1 h合成出不同形貌的正交晶相粉体。利用 XRD、FE-SEM、BET、DRS等分析手段表征了Bi2WO6粉体,以RhB溶液为目标降解物,对不同反应温度下合成粉体的光催化性能进行了研究,结果表明:反应温度对合成Bi2WO6粉体的物相、形貌及光催化性能均有较大影响,180 ℃时合成的绒线团状Bi2WO6粉体比表面积为25.63 m2·g-1,禁带宽度为2.92 eV,因光在粉体催化剂内产生了漫反射,光催化效果最佳,在可见光照射下3h时RhB溶液降解率达到了96%,紫外光照射下2 h时RhB溶液降解率达到了98%以上。 相似文献
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以(NH4)2TiF6,Sr(NO3)2和H3BO3为主要原料,采用自组装单层膜技术,在玻璃基板上成功制备了钛酸锶晶态薄膜。利用接触角仪对OTS和紫外照射处理后的基片润湿角进行表征,利用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段表征了薄膜的物相和微观结构。结果表明:紫外光对自组装单层膜具有很强的修饰作用,紫外照射后附着有OTS-SAM的基片有很强的亲水性。钛酸锶薄膜结晶良好,纯度很高,薄膜表面颗粒均匀分布,呈岛状生长,晶粒尺寸大约在100~500 nm之间。对钛酸锶薄膜的形成机理进行了探讨。 相似文献
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采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.9Ni0.1O稀磁半导体晶体,没有其它杂质相的产生。通过UV/Vis测试进一步说明掺杂的效果,掺杂使ZnO的禁带宽度降低至3.18 eV。FE-SEM测试显示所制备的晶体呈现长柱状。VSM测试表明,所制备的样品Zn0.9Ni0.1O在室温下表现出铁磁性。文章采用水热法制备出了具有铁磁性能的稀磁半导体粉体。 相似文献
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将自组装分子膜层(SAMs)技术与液相沉积技术(LPD)相结合,以氟钛酸氨((NH4)2TiF6)和硼酸(H3BO3)为原料配制反应前驱液,在镀有十八烷基三氯硅烷(OTS)自组装分子膜层的玻璃基底表面制备出与基底结合紧密、结构致密均一、厚度可控的纳米TiO2晶态薄膜。采用XRD、SEM和AFM等测试手段对薄膜的物相组成、显微结构和表面形貌进行了表征。结果表明:OTS-SAMs功能化基底对TiO2薄膜的沉积具有明显的诱导作用,当前驱液的(NH4)2TiF6浓度为0.05 mol.L-1,与H3BO3的摩尔比为3∶1,pH=3.0时,在50℃下沉积10 h后,无需退火,就可得到结晶良好的纯锐钛矿相TiO2晶态薄膜。 相似文献
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Bi2Fe4O9纳米粉体:水热法制备及表征 总被引:1,自引:1,他引:0
Bi2Fe4O9 nanoparticles were prepared at low temperature via a facile, one-step hydrothermal synthesis process using iron(Ⅲ) nitrate nonahydrate(Fe(NO3)3·9H2O) and bismuth nitrate pentahydrate (Bi(NO3)3·5H2O) as starting materials and sodium hydroxide (NaOH) as the precipitant and mineralizer. XRD results indicate that the as-prepared nanoparticles are pure Bi2Fe4O9. SEM images reveal that the as-prepared Bi2Fe4O9 nanoparticles have a sheet-like morphology. The Bi2Fe4O9 nanoparticles thus obtained are paramagnetic at room temperature as shown by magnetic measurements. 相似文献
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以Bi(NO3)3·5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,采用自组装单层膜技术,在负载有功能化三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichloro-silane,OTS)的FTO基板上制备了Bi2Ti2O7薄膜。基板表面的亲水性测试表明,紫外照射使OTS自组装单层膜表面由疏水转变为亲水,实现功能化。借助X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析分别对Bi2Ti2O7薄膜的组成、结构和微观形貌进行了表征。结果表明,沉积溶液浓度为0.02 mol·L-1时,所得Bi2Ti2O7薄膜均匀致密。560℃热处理1 h、厚度为0.4μm的Bi2Ti2O7薄膜在100 kHz的介电常数为153,介电损耗为0.089。 相似文献
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本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响.采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.05,0.1,0.2),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.XRD、FE-SEM测试表征晶体的物相组成和晶体形貌,XRD表明所制备的zn0.95Ni0.05O稀磁半导体晶体发育比较完整.通过UV-vis测试进一步说明掺杂的效果.VSM测试表明,所制备的样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性. 相似文献