Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.     

水热合成氮化硼过程中二次氮源加入温度对物相的影响

立方氮化硼是一种具有很高应用价值的超硬材料,但目前合成立方氮化硼需要十分苛刻的条件,严重限制了它的应用范围.为了在温和条件下合成立方氮化硼,我们提出了水热选相原位合成方法,并对主要的影响因素进行了研究.本文中,我们探讨了水热合成立方氮化硼过程中,二次氮源的加入温度对产物中物相种类及其含量的影响.结果表明:随着二次氮源加入温度的升高,样品中立方氮化硼的含量逐渐增加,当该温度达到300℃时,可以得到单相立方氮化硼.比较反常的是,当二次氮源的加入温度为260℃时,立方氮化硼的含量却反常地减少.为了解释这个现象,我们提出了一个物相转变势垒的初步模型,并对有关实验现象进行了初步分析.