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11.
用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复.  相似文献   
12.
250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面测量   总被引：2，自引：0，他引：2       下载免费PDF全文
建立了一套直线透射式全截面测量装置,并测量了250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面,实验误差为3.5%。测量的结果与已报道实验和理论工作做了比较。 关键词：  相似文献   
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