In∶Nd∶LiNbO3晶体倍频性能的研究

在 LiNbO₃中掺进In₂O₃和Nd₂O₃, 以Czochralski技术生长了In∶Nd∶LiNO₃晶体. 通过光斑畸变法测得In∶Nd∶LiNbO₃晶体的光损伤阈值为1.98×104 W/cm², 比Nd∶LiNbO₃晶体的1.6×102 W/cm²高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明, In∶Nd∶LiNbO₃晶体的吸收边相对Nd∶LiNbO₃晶体发生紫移. 研究了In∶Nd∶LiNbO₃晶体的倍频性能, 结果表明, In∶Nd∶LiNbO₃晶体的相位匹配温度在室温附近, 倍频转换效率比Nd∶LiNbO₃晶体提高二倍.     

室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析

以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.