价电子轨道能量拓扑指数与Y、Bi系超导电性的关系

利用价电子轨道能量Ei和价电子层数ni,构建了新的原子点价δi,由点价δi构建价电子轨道能量拓扑指数mE。研究了Y系、Bi系高温超导氧化物与mE的0阶指数的关系,发现有较好的规律性。因此文中提出用价电子轨道能量拓扑指数mE作为Y系、Bi系高温超导氧化物超导电性的一个新判据,对今后制备出具有更高TC的Y系、Bi系超导氧化物有很好的指导意义。     

电负性/价电子轨道能拓扑指数与MgB_2体系转变温度的关系

利用电负性拓扑指数mF和价电子轨道能量拓扑指数mX的0阶指数0F和0V分别计算了MgB2及其掺杂MgB2体系的0F、0V发现其与超导转变温度Tc之间有良好的规律性,转变温度高的物质在最佳掺杂范围对应的0F和0V分别为2.9034-2.9509和3.9218-3.8613内。因此本文就以0F0、V作为掺杂MgB2体系超导电性的一个判据来选取掺杂物及浓度以提高转变温度,为实验工作者今后探索更好的掺杂MgB2体系超导物提供了一个很好的经验借鉴。     

对驻波法测声速的讨论

改变驻波法测声速的操作过程,区分出谐振频率和共振干涉频率,较准确地测量出声速.     

价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.