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提出了一种有效的利用补偿元件抑制空间电荷效应所致脉冲展宽的方法。此元件为一轴对称的圆柱形空腔,金属侧壁和供脉冲输出的端面金属栅网接地以保持0电位,供脉冲进入空腔的端面小孔的内壁涂导电层并施以正电位,通过选择此端面的介电常数分布而在此端面上形成特定的电位分布。如此形成的补偿元件内部电场能够在不引入附加电子能量弥散的基础上,在空点电荷效应所致脉冲展宽极为严重的纵向和横向这两个主要方向上,均能够有效地抑制空间电荷效应,从而起到补偿电子脉冲展宽的作用。 相似文献
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理论分析了背景光辐照在光折变晶体中从自散焦向自聚焦特性转化过程中的作用,得到了R>1是不同类型（Δn<0和Δn>0）晶体中这种转变的条件.实验观察到了铌酸锂晶体中这种转变的现象.并依据Glass常量的光伏打效应表征意义,提出了光伏孤子形成过程中载流子的竞争效应模型.基于此,分析了折射率变化为负的光生伏打晶体在背景光和信号光Glass常量比大于1条件下的载流子竞争效应,得到了与实验现象和已知理论分析相一致的结论.研究表明,背景光引起的载流子竞争效应是影响晶体自散焦向自聚焦特性转换的内在物理本质. 相似文献
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基于由光束传输的ABCD矩阵得出的Z-scan透过率的解析结果，分析了Z-scan实验曲线随非线性相移的变化规律。发现随着相移的增加，折射非线性相移比吸收非线性相移对Z-scan曲线对称性的影响更大。对于具有强饱和吸收和弱自聚焦特性的非线性介质，其Z-scan曲线随非线性折射相移的变小将失去典型的类色散特点。对于1μm厚的ZnCdSe-ZnSe多量子阱，扫描光源采用532 nm的基模高斯光束，采用透过率表达式来拟合所得的实验数据，在吸收非线性相移为0.9与耦合因子为-10条件下，推算出三阶非线性吸收系数为2×10-3 cm/W，三阶非线性折射系数为 8.0×10-8 cm2/W，这与J.Ma等人的结果吻合。最后对曲线特征参数随非线性相移变化进行了数值计算，得到的曲线所对应的非线性相移与曲线谷位置的乘积近似为一常量，值为0.166。 相似文献
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