在样模制备法中影响有序金属Ni纳米线尺寸的因素

以多孔氧化铝为样模,运用电沉积法向样模的微孔中沉积金属Ni,制备得到了有序排列的金属Ni纳米线阵列;以透射电镜为主要表征手段,系统地研究了多孔氧化铝样模的制备条件对金属Ni纳米线尺寸的影响;结果表明：制备多孔氧化铝样模过程中的氧化介质、氧化温度、氧化电压以及氧化后的扩孔时间影响Ni纳米线的直径和长度,而电沉金属镍时的沉积电压和沉积时间则主要影响纳米线的长度。     

Zn/V2O5水相二次电池的交流阻抗研究

钒的氧化物,特别是Ｖ6Ｏ13与Ｖ2Ｏ5,由于具有层状结构,可以嵌入一定量的小体积阳离子而保持原有的晶体结构基本不变,因而作为电池的可逆嵌入电极材料,一直受到广泛重视[1-9].从考虑降低电池生产成本、提高电池的安全性和充分利用我国的钒资源角度出发,本课题组研究了锌与一些钒氧化物组成的二次电池,主要是Ｚｎ/Ｖ6Ｏ13有机相二次电池[10]和Ｚｎ/Ｖ2Ｏ5水相二次电池[11,12].研究结果表明,在一定范围内,锌离子能够可逆地嵌入到上述钒氧化物的层状结构中.该类二次电池具有价格低、安全性能好、能量密度大并具有适度的循环寿命和贮存寿命等优点…     

镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法合成及其紫外可见吸收光谱研究(英文)

以多孔氧化铝为模板 ,用交流电分别通过含有相应的CdCl2 、ZnCl2 、单质S、Se等的二甲亚砜 (DMSO)溶液 ,沉积CdS、CdSe以及CdxZn1-xS半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱 .实验结果表明 ,当半导体纳米线的直径小于 2 5nm时 ,其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移 ,而且蓝移的幅度随着半导体纳米线直径的减小而增加 ,显示了明显的量子限域效应 .