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ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方式,对ZnO单晶进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱实验,分析研究了ZnO单晶在不同温度(低温)和不同激光能量强度照射下其光致发光特性。研究结果表明,ZnO单晶内存在少量杂质及表面氧缺陷,这些结构对其发光特性有一定的影响;在低温条件下,ZnO单晶具有良好的发光特性,且随着温度的提高,发光光谱峰的位置会向长波长方向移动,但强度会减小;当激光光源的强度增大,ZnO单晶的PL发射光谱的强度也会随之增大,且峰的位置和相对强度不变。结合拉曼(Raman)光谱实验,从分子及原子振动、转动类型验证了纤锌矿ZnO单晶的六方晶系结构;配合X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术,得出ZnO单晶良好的结晶特性以及晶轴取向。 相似文献
12.
Throughoutthispaper,Gisafinitegroup ,pisaprimeinπ(G) ,andM <·GdenotesthatMisamaximalsubgroupofG .A/BiscalledasectionofGifB A≤G .Therestofnotationsisstandardandtakenmainlyfrom [1 ]and [2 ] . In [3] ,Weilandtprovedthewell knowntheorem :Gissolvableifitcontainstwonilpote… 相似文献
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15.
阴极射线发光材料的进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。 相似文献
16.
电容输入式整流电路是应用最广的一种电路,但遗憾的是这种电路的输出直流电压,迄今未见载有解析公式.本文推导出一个解析公式,只要知道电路参量及电源频率,就可以高精度算得直流输出电压. 相似文献
17.
18.
HL—1装置的低q放电实验 总被引:3,自引:3,他引:0
装置获得的最低qL值是衡最托卡马克磁流体不稳定性的控制水平的重要品质参数.通过精细调节补充送气和电流上升率的方法控制电流密度分布,使用钛吸气方法控制边缘等离子体参数,HL-1装置获得了最低qL值为1.8的稳定等离子体。实验结果表明,若电流上升率与密度上升率之比为(23—40)×10~(-19)kA·m~3的范围内,最利于获得低MHD增长率的稳定放电。预计这与中心q(0)<1峰化的电流密度分布有关。 相似文献
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