苯基笼状倍半硅氧烷(TSP-POSS)改性聚氨酯的分子模拟和热性能研究

采用分子力学及分子动力学方法,构建了质量百分比分别为0 wt%、3.06 wt%、6.56 wt%、10.13wt%、12.11 wt%、15.36 wt%和19.87 wt%共7种TSP-POSS杂化聚氨酯的分子结构模型,通过对均方位移、径向分布函数、XRD衍射图谱的分析,在分子水平上研究了半笼型TSP-POSS的引入对聚氨酯分子链结构及热性能的影响.结果表明,当TSP-POSS含量低于12.11 wt%时,随着TSP-POSS质量分数的增加,分子链之间的平均距离增大,分子间相互作用减小,聚合物分子链的运动性增强;当TSP-POSS含量高于12.11 wt%时,TSP-POSS自身会团聚成晶簇,降低了聚合物分子链的运动能力并由无定形聚集状态转变为层状半结晶结构.通过对7种体系的体积-温度函数分析,证明TSP-POSS的引入在一定程度上能显著提高聚氨酯杂化材料的玻璃化转变温度,在一定程度上增强其热稳定性.     

碱浸取-低压离子色谱法同时测定稀土中的微量F-和SO42-

稀土产品中的F-和SO42-均为产品纯度的重要指标。在国家标准方法中,稀土产品中F-和SO42-含量的测定分别采用水蒸气蒸馏分光光度法和盐酸溶解比浊光度法[1].     

低压离子色谱法测定CeO2产品中微量氟的研究

采用氟碳铈矿为原料冶炼成的稀土氧化物产品中,氟含量的测定在检验稀土产品纯度中起着重要的作用.目前此类产品中氟含量的测定主要有二甲酚橙-锆退色法和氟试剂法[1 ].而采用低压离子色谱法分析稀土氧化物产品中氟含量还未见报道[2,3].本文研究用低压离子色谱(LPIC)法测定稀土CeO2中氟含量.试验证明,样品预处理时,在HC lO4介质中加入AgClO4以消除阴离子干扰,并用水蒸气将氟蒸馏出,以KOH溶液吸收 .选择1.2mmol/LNa2CO3作淋洗液,LPIC测氟.与氟试剂法(GB)作比较分析,两种方法测定结果一致.本方法在灵敏度、精密度和分析速度等主要技术指标方面均比化学法更优越 .为稀土生产厂家提供了一种简便测氟的新方法.     

低压离子色谱法测定稀土硫酸介质中氟的含量

用低压离子色谱 (LPIC)法测定了稀土硫酸介质中氟的含量。针对稀土硫酸溶液测氟样品的复杂基体 ,提出了用KOH沉淀 掩蔽剂 (HY C6H8O7·H2 O)的样品预处理方法 ,消除了诸多阴、阳离子的干扰 ;选择适宜的LPIC分析条件 ,消除了SO2 -4 等阴离子干扰。对稀土硫酸浸取液中的氟作了测定和加标回收实验 ,氟的回收达 95 %以上     

多元介孔混合氧化物La-Mn-Ce-O催化剂的制备与表征

采用柠檬酸络合鄄有机模板剂分解法制备出具有不同(nLa+nMn)/(nLa+nMn+nCe)比、不同温度焙烧的La-Mn-Ce-O系列多元介孔混合氧化物催化剂, 并与传统共沉淀法制备的La-Mn-Ce-O催化剂进行比较. N2吸附和脱附结果表明, 采用模板剂法制得的样品具有较大的比表面积(高达103.5 m2·g-1)和较均匀的孔径分布(3.4-4.4 nm); 500 ℃焙烧样品的比表面积约为共沉淀法所制样品的三倍. 600 ℃焙烧后, 样品的孔径分布范围稍有加宽, 但仍保持介孔结构. XRD表征结果表明, Mn物种具有高度的分散性, XRD 难以检测, La-Ce和Mn-Ce可能部分形成了固溶体结构. XPS结果揭示, Mn-Ce间存在电子态的强相互作用, 出现了Mn 2p的震激峰, 这种相互作用促进了氧物种在Ce和Mn物种间的传递, 增强了样品的氧化还原性能, 震激峰最明显的样品具有最佳的氧化性能. H2-TPR结果表明, 采用柠檬酸络合鄄有机模板剂分解法制备的催化剂中, 锰氧化物更容易被还原, Mn—O 键的活动度与CO氧化活性密切相关. 活性评价结果表明, 500 ℃焙烧的(nLa+nMn)/(nLa+nMn+nCe)为0.5的样品, 起燃温度比传统共沉淀法制得的样品降低了50 ℃左右, 并表现出较高的热稳定性.     

负载Pd密偶催化剂的载体效应

采用尿素水解法或吸附沉淀法制备了金属氧化物载体,并用浸渍法负载0.5%Pd制得了Pd/Sn0.4Zr0.6O2,Pd/ZrO2,Pd/SnO2,Pd/SnO2-Al2O3和Pd/Al2O3催化剂.采用原位漫反射红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱和程序升温还原等方法对催化剂结构进行了表征,探讨了不同载体对表面PdOx物种化学吸附性质和氧化还原性能的影响,并与样品的丙烷氧化活性相关联.漫反射红外光谱表明,在Pd/SnO2-Al2O3中,Sn对Al2O3表面的Pd原子簇起到稀释作用,促进了Pd的分散,使得其CO线式吸附强度明显高于Pd/Al2O3,但Pd过高的分散度不仅减少了表面Pd-PdO活性位对的数目,而且使反应中间物种Pd-OH之间脱水困难,因而阻塞了活性位,降低了其循环氧化还原活性;而在Sn0.4Zr0.6O2复合氧化物载体中,SnO2有效地阻止了四方晶相ZrO2向稳态单斜晶相转变,且复合载体的比表面积较ZrO2和SnO2有所增加,其表面PdOx物种的分散度适中.此外,Sn0.4Zr0.6O2复合氧化物负载的Pd的价态介于Pd0与Pd2 之间,表面氧空位较多,促进了丙烷中C-H键的活化,使比表面积较低的Pd/Sn0.4Zr0.6O2具有最好的催化丙烷氧化能力,相反比表面积较高的Pd/SnO2-Al2O3活性很差,说明分散度适中且具有较低氧化态的PdOx(0相似文献   

基于响应面法的半水硫酸钙晶须制备工艺优化

本研究以氯化钙、硫酸为主要原料,采用常压酸化法制备半水硫酸钙晶须.以长径比、长度为主要指标,在单因素实验的基础上,运用响应面法中的Box-Behnken design对反应温度、硫酸浓度、反应时间、搅拌速度进行优化,建立半水硫酸钙晶须制备工艺的数学模型,研究制备的最优工艺条件.结果表明,制备半水硫酸钙晶须的最优工艺条件为:反应温度103℃、硫酸浓度7.4;、反应时间60 min、搅拌速度288 r·min-,得到的晶须样品形貌规整、均一,平均长径比为82.2,φ90为53.3,平均长度为562 μm.     

混晶（RbxK1—x）2SnCl6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（ＲｂｘＫ１－ｘ）２ＳｎＣｌ６性质随组份（０〈ｘ〈１）及温度（１０Ｋ〈Ｔ〈３００Ｋ）的变化，发现在纯Ｋ２ＳｎＣｌ６晶体中用Ｒｂ＾＋部分替代Ｋ＾＋后，将降低原Ｋ２ＳｎＣｌ６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ＾＋成份超过极限浓度（ｘ〉０．７）后，该相变就被抑制，不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ＾＋的增加，向低频方向移动，用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。     

GaAs(100)衬底上ZnSe薄膜的热壁束外延生长

介绍热壁束外延法生长ZnSe/GaAs异质结工作。低能电子衍射和俄歇电子能谱对样品的原位检测表明,用此方法可以在GaAs(100)衬底上外延得到单晶的ZnSe(100)薄膜。当外延生长速率大时,Znse薄膜质量下降,样品的Raman谱中出现TO模。X射线衍射实验结果表明,这种外延膜质量的退化主要是由于在ZnSe(100)薄膜体内存在〈111〉方向的晶核。 关键词：