首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
文章检索
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
检索词:
出版年份:
从
到
被引次数:
从
到
他引次数:
从
到
提示:输入*表示无穷大
全文获取类型
收费全文
5篇
免费
1篇
国内免费
6篇
专业分类
晶体学
1篇
力学
7篇
数学
3篇
物理学
1篇
出版年
2019年
1篇
2010年
2篇
2007年
1篇
2005年
1篇
2003年
1篇
2000年
1篇
1999年
2篇
1996年
1篇
1994年
2篇
排序方式:
出版年(降序)
出版年(升序)
被引次数(降序)
被引次数(升序)
更新时间(降序)
更新时间(升序)
杂志中文名(升序)
杂志中文名(降序)
杂志英文名(升序)
杂志英文名(降序)
作者中文名(升序)
作者中文名(降序)
作者英文名(升序)
作者英文名(降序)
相关性
共有12条查询结果,搜索用时 0 毫秒
[首页]
« 上一页
[1]
2
11.
双金属层状板中软界面层对裂纹扩展的影响
贾普荣
何家文
李年
张元冲
《应用力学学报》
2003,20(3):70-73
采用带软界面层的双金属层状板,分析了裂纹垂直于界面扩展过程中的力学行为。带单边裂纹的钢/铝层板的弯曲疲劳实验表明,裂尖接近软铝界面层时裂纹扩展速率da/dN变化很大;裂纹扩展到达界面层时发生偏折。利用有限元软件分析了裂纹尖端前沿应力和应变的变化规律,计算结果表明:软铝界面层出现较大塑性应变,增加了裂纹扩展阻力,并使裂纹扩展力△K减小,导致了da/dN降低.而软界面层中的T应力增高,造成裂纹偏折现象。
相似文献
12.
PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析
总被引:1,自引:0,他引:1
张晓玲
胡奈赛
何家文
《人工晶体学报》
1999,28(2):177-181
采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.
相似文献
[首页]
« 上一页
[1]
2
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号