含各向异性左手材料的一维Thue-Mores准周期结构的反射带隙

采用传输矩阵法,研究了由各向同性右手材料和各向异性左手材料组成的Thue-Morse准周期结构的反射带隙,分析了入射角、偏振和晶格比例缩放因子对反射带隙的影响.结果表明该结构存在一个全方向反射带隙,该带隙的宽度由TE模的低频带边缘和TM模的高频带边缘决定.当在该结构中插入一层缺陷时,在全方向带隙中出现一条缺陷模.对TE模,缺陷模的位置受入射角的影响很弱,而对TM模,缺陷模的位置随入射角的增大,向高频方向移动.     

准脆性材料抗压强度能量平衡尺寸效应模型

针对现有尺寸效应模型难以体现准脆性材料完整的抗压强度尺寸效应变化规律及其内在机理, 本文通过分析准脆性材料单轴压缩破坏过程中能量输入、储存、整体和局部能量耗散, 建立体现整体和局部损伤的力学模型及描述上述能量演化过程的双线性名义和真实应力应变曲线, 在此基础上确定了名义应力最大时输入能量、储存弹性能、整体和局部能量耗散的表达式, 最后基于能量平衡原理建立抗压强度尺寸效应模型. 抗压强度能量平衡尺寸效应模型能完整体现名义抗压强度尺寸效应, 即随试样尺寸增大, 名义抗压强度在试样尺寸小于等于局部损伤区尺寸时为真实强度, 然后逐渐减小, 最终当试样尺寸趋于无穷大时趋于弹性极限强度; 抗压强度能量平衡尺寸效应模型也能同时体现高径比和试样直径对名义强度的影响, 其包含的参数具有明确的物理意义, 可以反映真实强度、弹性极限强度、名义损伤模量非线性、局部损伤区大小和方向对准脆性材料名义抗压强度尺寸效应的影响; 通过把抗压强度能量平衡尺寸效应模型和现有尺寸效应模型应用于预测各种材料尺寸效应试验和数值模拟数据, 结果表明: 抗压强度能量平衡尺寸效应模型能很好描述试验和数值模拟尺寸效应的非线性变化规律及内在机理, 和现有尺寸效应模型相比, 其总体平均误差最小, 且小于5%.      

光折变材料的带隙结构研究

利用光子晶体的概念和时域有限差分方法计算了当光折变材料的空间折射率呈一维正弦变化时其内部的带隙结构情况,表明在光折变材料中存在极窄的光子带隙。最后讨论了折射率(n)、折射率调制幅度(△n)、周期长度(D)及周期数(N)对光子带隙的影响。     

La0．85Sr0．015MnO3—δ／Fe异质结构的瞬间光电导研究

采用磁控溅射的方法在Si基片上制备了La0.85Sr0.015MnO3-δ/Fe异质结构,对所制备结构中La0.85Sr0.015MnO3-δ薄膜的输运及光诱导特性进行了分析,表明薄膜在整个测量的温度区间内呈现金属一半导体相变,相变温度为130K.在低温金属相,磁场作用导致电阻减小,而高温半导体相则使电阻增大;激光辐照导致样品电阻减小,并产生瞬间光电导效应,即随着激光的关闭电阻瞬间恢复到原值,其相对变化值随着温度的降低而增大,并在温度为80K时达到极大值约1660%,分析认为该瞬态光电导效应可能与薄膜本身的氧缺陷有关.     

投影的约化极小模和空间的夹角

Let M and N be nonzero subspaces of a Hilbert space H, and PM and PN denote the orthogonal projections on M and N, respectively. In this note, an exact representation of the angle and the minimum gap of M and N is obtained. In addition, we study relations between the angle, the minimum gap of two subspaces M and N, and the reduced minimum modulus of （I - PN）PM,     

激波诱导下纳米铝粉与微米铝粉的爆炸特征对比研究

对比研究了入射激波诱导下纳米铝粉和微米铝粉与环氧丙烷混合物快速反应系统中的爆炸特征.利用多台单色谱仪同步采集技术实验测定了二种反应混合物在不同诱导激波中强度作用下的点火延迟时间.为获得爆炸系统内部信息利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射分析仪(XRD),X射线能谱(XPS)对相应铝粉反应生成物的结构、态貌、表面氧化层厚度进行了表征和分析.结果表明:TEM结果表明纳米铝粉生成物为絮状、针状和纤维状,而微米铝粉生成物为球状且体积增大;XRD结果显示在压缩区、点火区、燃烧区、爆炸区、传播区、碎片压缩致冷区生 关键词： 诱导激波 点火 XPS能谱 铝粉     

单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础. 本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET 的16 个微分电容模型, 并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了所建模型的正确性. 同时对其中的关键性栅电容C_gg 与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究. 结果表明, 与体硅器件相比, 应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大, 随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.     

十字结构银纳米线的表面等离极化激元分束特性

金属纳米线波导可以将光局域在亚波长尺度内传播, 在纳米光子集成回路方面有着重要的作用. 本文应用有限元方法, 研究了十字结构银纳米线的表面等离极化激元分束特性. 结果表明, 不同模式的表面等离极化激元在十字结构三个分支的输出依赖于端面的几何结构参数. 此外, 研究还发现由于不同模式表面等离极化激元叠加, 在十字结构的分支上出现了周期性电场分布.     

具有表面活性的功能化离子液体N-(三甲氧硅丙基)-N-甲基-2-吡咯烷酮盐酸盐的合成与表征

以N-甲基-2-吡咯烷酮和3-氯丙基三甲氧基硅烷单体为原料,利用SN2亲核取代反应合成具有一定表面活性的功能化离子液体N-(三甲氧硅丙基)-N-甲基-2-吡咯烷酮盐酸盐.通过元素分析、红外光谱和核磁共振对功能化离子液体进行表征,并测定了其表面张力和导电率.结果表明,合成的产物结构与其理论结构基本一致,具有较宽的液体温度范围和较低的表面张力,并具有较高的电导率,随着温度的升高,电导率逐渐增高.     

半线性抛物方程在L2p空间中全局吸引子的存在性

本文研究了半线性抛物方程所生成的半群{S（t）}t≥0的吸引子的存在性.利用文献[1]中证明吸引子正则性的思想,分别得到半群{S（t）}t≥0在L^2p（Ω）空间中具有一个有界吸收集和一个全局吸引子.