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31.
为了研究Co对单层MoS_2电子结构和磁性的影响,本文基于第一性原理,采用数值基组的方法计算了Co吸附式掺杂、Co替代式掺杂单层MoS_2的能带结构、态密度以及分析了其结构的稳定性.结果发现:Co替换式掺杂体系的形成能较低,实验上容易实现;Co在Mo位吸附的稳定性强于在S位吸附;Mo位吸附体系的总磁矩为0.999μB,其磁矩的主要来源于Co原子的吸附所贡献的0.984μB,Co原子的掺杂体系总磁矩为1.029μB,其磁矩的主要由Co原子替代掉一个Mo原子所贡献的磁矩为0.9444μB,相比于吸附体系,Co原子对磁矩的贡献率有所降低;无论是Co吸附在单层MoS_2表面还是Co直接替代掉Mo原子的掺杂体系,Co原子3d轨道的引入是引起单层MoS_2体系磁性的主要原因.  相似文献   
32.
本文采用第一性原理研究了(NaP_3)_n(n=1~5)团簇的几何结构、能隙、电荷分布以及态密度.研究结果表明:NaP_3团簇为线型结构,是(NaP_3)_n(n=1~5)团簇中的基本单元,随着n增大,团簇转变为环状结构和空间结构;(NaP_3)_3团簇的能隙出现峰值,表明该团簇较其他团簇有较高的稳定性;(NaP_3)_3团簇中对于高能量区域的态密度是由Na 3s和P 3p轨道贡献,其中在费米附近的能量主要由P 3p轨道贡献,对于低能量区域的态密度主要由Na 3s轨道贡献;(NaP_3)_n(n=1~5)团簇中的Na原子电荷分布均为正值,表明电荷总体上是从Na原子转移到P原子.  相似文献   
33.
Elastic constants and bulk modulus for the tetragonal, rhombohedral, and cubic phase of Na0.5Bi0.5TiO3 crystal were calculated from the first principles. From the calculated elastic constants, other structural properties such as bulk modulus, shear modulus, Young's modulus, and Poisson's ratio can be derived using respective relationships from Voight–Reuss–Hill approximation; bulk modulus was calculated as an example in this article. It was shown that elastic constants show different behavior for compression and elongation. The different values of elastic constants have been calculated for the direction parallel to the bismuth layer (crystallographic a(b)-axis) and the perpendicular direction (crystallographic c-axis). It seems to be caused by bismuth layer structure oxides of Na0.5Bi0.5TiO3 crystal.  相似文献   
34.
王开福  沈永昭 《光学学报》1996,16(8):208-1210
提出了在使用五孔剪切相机研制二阶微分场时,通过采用两次全场滤波技术可消除夹在二阶微分条纹中的一阶微分条纹,从而使二阶微分条纹具有较高对比度。  相似文献   
35.
轩书科 《计算物理》2012,29(5):786-790
利用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,研究BaTi2As2O的能带结构、费米面和态密度.发现:BaTi2As2O是一种非磁性金属,费米能级处的态密度主要来自Ti原子的3d电子,Ti 3d轨道和As 4p轨道有较强的杂化.没有发现其磁性基态,说明Ti原子上没有局域磁矩,与Pickett对Na2Ti2Sb2O的研究结论相吻合.  相似文献   
36.
The electronic structures and optical properties of N-doped, S-doped and N/S co-doped SrTiO3 have been investigated on the basis of density functional theory (DFT) calculations. Through band structure calculation, the top of the valence band is made up of the O 2p states for the pure SrTiO3. When N and S atoms were introduced into SrTiO3 lattice at O site, the electronic structure analysis shows that the doping of N and S atoms could substantially lower the band gap of SrTiO3 by the presence of an impurity state of N 2p on the upper edge of the valence band and S 2p states hybrid with O 2p states, respectively. When the N/S co-doped, the energy gap has further narrowing compared with only N or S doped SrTiO3. The calculations of optical properties also indicate a high photo response for visible light for N/S co-doped SrTiO3. Besides, we find a new impurity state which separates from the O 2p states could improve the photocatalytic efficiency and we also propose a model for light electron-hole transportation which can explain the experiment results well. All these conclusions are in agreement with the recent experimental results.  相似文献   
37.
从第一性原理出发,在局域密度近似下,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法系统地研究了高压对BaHfO3电子结构与光学性质的影响.能带结构分析表明;无压强和施加正压强作用时,BaHfO3为直接带隙绝缘体,而施加负压强时,BaHfO3则转变为间接带隙半导体;BaHfO3的带隙随压强增加而减小,且具有明显的非线性关系.对光学性质的分析发现:施加正压强后,光学吸收带边产生蓝移;负压强作用时介电函数虚部尖峰减少,光学吸收带边产生红移;施加压强后BaHfO3的静态介电常数和静态折射率均增大.上述研究表明施加高压有效调制了BaHfO3的电子结构和光学性质,计算结果为BaHfO3光电材料的设计与应用提供了理论依据.  相似文献   
38.
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),利用第一性原理方法研究了BaHf0.5Ti0.5O3的电子结构和光学性质.计算结果表明,BaHf0.5Ti0.5O3是一种间接带隙半导体材料,其导带底主要由Ba、Hf和Ti的d态电子构成,价带顶则主要由O的p态、Hf和Ti的d态电子构成;理论计算的介电函数最高峰的峰位与实验结果吻合较好,相对误差小于4%;吸收系数最大峰值为2.43×105cm-1,且吸收主要集中在低能区,静态折射率为2.01,能量损失峰出现在13.24 eV处.研究结果为BaHf0.5Ti0.5O3光电材料设计与应用提供了理论依据.  相似文献   
39.
Extremum principles intended for use in optimal control are derived in the form of necessary conditions and sufficient conditions, formulated in general normed linear spaces. The method of application is illustrated by several examples involving optimal control problems, mathematical programming problems, lumped-parameter systems, and distributed-parameter systems. The basic theorems provide a unified approach which is applicable to a wide variety of problems in open-loop optimal control.  相似文献   
40.
A simple invariant characterization of the scalar fourth-order ordinary differential equations which admit a variational multiplier is given. The necessary and sufficient conditions for the existence of a multiplier are expressed in terms of the vanishing of two relative invariants which can be associated with any fourth-order equation through the application of Cartan's equivalence method. The solution to the inverse problem for fourth-order scalar equations provides the solution to an equivalence problem for second-order Lagrangians, as well as the precise relationship between the symmetry algebra of a variational equation and the divergence symmetry algebra of the associated Lagrangian.

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