首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4097篇
  免费   1071篇
  国内免费   577篇
化学   2692篇
晶体学   8篇
力学   258篇
综合类   42篇
数学   209篇
物理学   2536篇
  2024年   5篇
  2023年   22篇
  2022年   82篇
  2021年   64篇
  2020年   92篇
  2019年   110篇
  2018年   101篇
  2017年   167篇
  2016年   198篇
  2015年   307篇
  2014年   347篇
  2013年   454篇
  2012年   418篇
  2011年   392篇
  2010年   336篇
  2009年   321篇
  2008年   336篇
  2007年   278篇
  2006年   232篇
  2005年   203篇
  2004年   198篇
  2003年   178篇
  2002年   127篇
  2001年   124篇
  2000年   107篇
  1999年   72篇
  1998年   82篇
  1997年   71篇
  1996年   62篇
  1995年   46篇
  1994年   48篇
  1993年   45篇
  1992年   27篇
  1991年   16篇
  1990年   18篇
  1989年   9篇
  1988年   4篇
  1987年   3篇
  1986年   6篇
  1985年   4篇
  1984年   6篇
  1982年   6篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   3篇
  1978年   3篇
  1974年   3篇
  1973年   2篇
  1969年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有5745条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
B‐doped Si multiple delta‐layers (MDL) were developed as certified reference materials (CRM) for secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profiling analysis. Two CRMs with different delta‐layer spacing were grown by ion beam sputter deposition (IBSD). The nominal spacing of the MDL for shallow junction analysis is 10 nm and that for high energy SIMS is 50 nm. The total thickness of the film was certified by high resolution transmission electron microscopy (HR‐TEM). The B‐doped Si MDLs can be used to evaluate SIMS depth resolution and to calibrate the depth scale. A consistency check of the calibration of stylus profilometers for measurement of sputter depth is another possible application. The crater depths measured by a stylus profilometer showed a good linear relationship with the thickness measured from SIMS profiling using the calibrated film thickness for depth scale calibration. The sputtering rate of the amorphous Si thin film grown by sputter deposition was found to be the same as that of the crystalline Si substrate, which means that the sputtering rate measured with these CRMs can be applied to a real analysis of crystalline Si. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
112.
通用模拟退火用于稳健多元分析校正   总被引:4,自引:0,他引:4  
模拟退火是一种全局优化算法,具有跨越局部最优点的机制,最小一乘是一种较常用的最小二乘更为稳健的优化准则,更适用于可能偏离正态分布的实际数据集,本文探讨了用最小一乘为准则并利用模拟退火方法同时测定多组分体系的可能性。应用于2-3组分药物体系分析,获得了满意的结果,本文还探讨了改变步长提高模拟退火算法优化精度的方法。  相似文献   
113.
Treatment of 1,1‐bis(pinacolatoboryl)ethene with an excess of 1‐bromo‐1‐lithioethene gave 2,3‐bis(pinacolatoboryl)‐1,3‐butadiene in high yield. Palladium‐catalyzed cross‐coupling of the resulting diborylbutadiene with aryl iodides took place smoothly in the presence of a catalytic amount of Pd(OAc)2/PPh3 and aqueous KOH to give 2,3‐diaryl‐1,3‐butadienes in good yields. The coupling reaction with commercially available 4‐acetoxyphenylmethyl chloride under the same conditions followed by hydrolysis of the acetyl groups gave anolignan B in a one‐pot manner. A variety of [3]‐ to [6]dendralenes were synthesized by palladium‐catalyzed coupling of the diene or 1,1‐bis(pinacolato)borylethene with alkenyl or dienyl halides, respectively, in good yields.  相似文献   
114.
115.
Model order reduction of the two‐dimensional Burgers equation is investigated. The mathematical formulation of POD/discrete empirical interpolation method (DEIM)‐reduced order model (ROM) is derived based on the Galerkin projection and DEIM from the existing high fidelity‐implicit finite‐difference full model. For validation, we numerically compared the POD ROM, POD/DEIM, and the full model in two cases of Re = 100 and Re = 1000, respectively. We found that the POD/DEIM ROM leads to a speed‐up of CPU time by a factor of O(10). The computational stability of POD/DEIM ROM is maintained by means of a careful selection of POD modes and the DEIM interpolation points. The solution of POD/DEIM in the case of Re = 1000 has an accuracy with error O(10?3) versus O(10?4) in the case of Re = 100 when compared with the high fidelity model. For this turbulent flow, a closure model consisting of a Tikhonov regularization is carried out in order to recover the missing information and is developed to account for the small‐scale dissipation effect of the truncated POD modes. It is shown that the computational results of this calibrated ROM exhibit considerable agreement with the high fidelity model, which implies the efficiency of the closure model used. Copyright © 2016 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
116.
117.
118.
119.
120.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号