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沟槽对建筑物减震作用的动光弹研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文用动光弹方法实验研究了沟槽对爆炸地震波的衰减作用和对建筑物的保护作用分析表明:在模型实验条件下,当槽深大于20mm时,地震波的大部分能量被槽挡住,地震波对槽后的建筑物影响甚小,当槽深小于15mm时,槽与建筑物之间应力场较强,临界深度在15~20mm左右,这一深度大约是爆生瑞利波波峰深度的3~4倍。槽宽度对地震波衰减作用不大。 相似文献
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本文分别运用动态云纹-光弹性和电阻应变量测方法研究了相邻两炮孔之间爆炸应变场。多火花式高速像机和超动态量测系统被用于动态记录。根据动态云纹-光弹条纹分析了应力波的叠加作用,定量地计算了爆炸应力波叠加作用期间内不同时刻地孔连心线上_x(沿连心线方向)和_r(垂直于连心线方向)的分布以及_x在连心线中垂线上的分布。用应变片记录了爆炸应力波叠加作用时连心线上应变-时间示波器轨迹。测量和计算所得炮孔间应力波叠加和衰减的规律与理论分析和动光弹模拟分析结果一致。 相似文献
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利用理论分析和数值计算的方法,研究了偏置磁极周期会切磁铁产生的、可用于带状电子束宽边聚焦的边聚焦场。结果表明:增加偏置长度,减小电子束通道宽度,增大磁极轴向长度可以在基本不改变边聚焦场在x方向上分布特性的前提下提高幅值;增大电子束通道的高度,增大磁极厚度均可以减小边聚焦场在x方向上分布曲线的曲率,但同时其幅值也会降低,该降低可利用前述方法予以补偿。在对带状电子束宽边聚焦进行束匹配时,可以先进行曲率匹配,再进行幅值匹配。在进行参数选择时,应合理选择束通道高度和磁极厚度的取值,以避免束通道内的边聚焦场在x方向上的分布出现曲率反向。 相似文献
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采用口径场法对聚焦条件下具有高斯波束的矩形口径天线近场进行了分析,得到了聚焦条件下的近场场强分布与近场增益解析式,并对不同的聚焦位置进行了仿真。结果表明:在近场区,聚焦位置离轴向越近,其场强越强,且增益越大,聚焦位置沿轴向时其场强与增益皆为最大;反之,聚焦位置离轴向越远,其近场场强与近场增益越小。因此,通过聚焦可以显著提高天线口径面场的近场场强与增益指标,从而提高天线系统的有效作用距离。 相似文献
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Qian Cui 《Liquid crystals》2013,40(12):1609-1618
The axially chiral mesogens 5-alkoxy-5′-[(4-alkoxybenzoyl)oxy]-2,2′-spirobiindan-1,1′-dione (QL7-n) were synthesised as racemic mixtures and resolved as single enantiomers by preparative chiral phase HPLC. The shorter homologues (R)-QL7-8 and QL7-9 form enantiotropic N* and SmC* phases, whereas the longer homologues (R)-QL7-10 and QL7-12 form an enantiotropic SmC* phase only. Texture analysis showed that the helical pitch of the N* phase is below the wavelength range of visible light; a helical pitch of 187 nm was measured at T – TNI = –5 K by selective reflection using enantiomerically enriched mixtures of (R)- and (S)-QL7-8 (0.35 ≤ ee ≤ 0.80). Spontaneous polarisations were measured as a function of temperature in the SmC* phase by the triangular wave method. PS values at saturation range from 102 nC cm–2 for (R)-QL7-8 to 120 nC cm?2 for (R)-QL7-9, which are up to three times greater than the highest polarisation previously reported for an axially chiral SmC* mesogen. Optical tilt angles θ were measured as a function of temperature and showed a sharp rise consistent with first-order N*–SmC* or I–SmC* transitions, with values at saturation ranging from 42 to 44°. 相似文献