一种新颖的测定和分析羟自由基氧化损伤RNA及其分子机理的化学发光体系

近年来，羟自由基（^.OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注，但是很少研究^.OH对RNA的氧化损伤。其实，RNA与DNA一样，也是核酸的两大组分之一，也有许多重要功能。所以^.OH攻击RNA也会引起重后果，会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等。为此，我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-PNA这一产生和测定^.OH氧化损伤RNA的化学发光体系，以便加强^.OH氧化损伤RNA的研究。通过对本体系测定条件的研究，得出了本体系最佳组方是：Vit.C,CuSO4,Phen,H2O2和RNA，浓度分别为350μmol/L,55μmol/L,350μmol/L,0.2mol/L和20μg/mL,体系pH为5．5，体系终体积为1mL。随后，利用本体系检测了槲皮素，咖啡酸，黄芩甙和芦丁抗^.OH氧化损伤RNA的作用，发现这四种抗氧化剂均能有效抑制^.OH氧化损伤RNA的分子机理，结果发现，^.OH清除剂硫脲几乎抑制全部发光，推测是因硫脲清除了引发剂^.OH所致；O^-.2清除剂SOD只能抑制小部分发光；^1O2清除剂叠氮化钠和苯甲酸都能抑制绝大部分发光。这些事实提示，^.OH是RNA氧化损伤的引发剂；O^-.2只是导致RNA氧化损伤的次要因素，^1O2才是导致RNA氧化损伤的最主要因素。     

Rb(62D)原子与基态Rb原子,H2分子碰撞转移截面

本文用荧光法测量Rb(6²D)原子与基态Rb原子,H₂分子碰撞转移截面。结果表明:Rb(6²D)-Rb(5²s)转移截面为σ_fs=67×10^-14cm²,σ_tr=4.3×10^-14cm²,Rb(6²D)—H₂转移截面为σ_fs 关键词：     

多重卷积公式及其应用

本文给出了一个ｎ重卷积的直接计算公式，避免了逐次卷积的麻烦，从而大大减少了运算工作量。这给工程应用和实际计算带来了一些方便。     

Dedekind和的一些性质

木文用初等方法证明了Ｄｅｄｅｋｉｎｄ和的几个重要性质．主要结果是简化了Ｋｎｏｐｐ等式的证明并建立了一个类似的公式．运用同样的方法，还给出了Ｄｅｄｅｋｉｎｄ和互反律的另一个初等证明．     

液固界面的1,9—二苯基—1,3,6,8—壬四烯—5酮分子的STM研究

对于固液界面分子行为的研究在以下几个方面有着重要意义,如对润滑和吸附的更深入的了解、液晶在表面的取向、界面的分子的识别现象、催化、电荷及物质在超薄有机层中的传输等。从理论角度来说,单分子层的有序性也是人们非常感兴趣的课题。扫描隧道显微镜(STM)是80年代初发展起来的一种新型表面分析工具,对于单分子     

五羟色胺分子选择性电极研究

本应用自己合成的联萘２０－冠－６作为活性载体，进行了五羟色胺分子选择性电极研究。电极在１０＾－＾５－１０＾－＾２ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内对五羟色胺具有稳定的线性响应，平均斜率为６３ｍＶ／ＰＣ，检测下限为２．７×１０＾－＾６ｍｏｌ／Ｌ。     

深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶及其分子工程学探索方法

阐述了紫外无机非线性光学晶体分子工程学探索方法的基本特点，具体分析深紫外无机非线性光学晶体硼铍酸锶（ＳＢＢＯ）以氟硼铍酸钾（ＫＢＢＦ）为主要参考晶体的分子设计方法，随后根据晶体结构研究、单晶培养、和非线性光学性能测定等实验结果讨论ＳＢＢＯ作为新型深紫外无机晶体的主要优点，即它既具有更短的紫外吸收边（接近１５５ｎｍ）和较大的非线性光学系数（ｄ２２（ＳＢＢＯ）＝０６×ｄ２２（ＢＢＯ）＝１３８ｐｍ／Ｖ），同时晶体无明显层状习性，并肯有良好的化学稳定性和机械性能     

分子图形微机处理程序

一、前言分子图形学是计算机在化学上应用的一个重要的分支。国外采用高速图形工作站及相应开发的软件,在分子图形学方面已达到很高的     

独立不同分布随机变盆序列的部分和的增量有多小

关于独立同分布随机变量部分和的增量有多小问题，目前已有了著名的结果.本文通过与独立同分布情形时完全不同的途径，讨论了独立不同分布情形时相应的问题.在矩母函数存在的条件下，获得了与同分布情形相近的结论.