用C60为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件

以富勒烯C60作为空穴注入缓冲层，在结构为ITO／C60／TPD／Alq3/LiF/Al的器件中，改善了器件的发光效率。研究了C60厚度对器件发光特性的影响。当C60厚度为1.6nm时，器件发光效率最高。在电流密度为100mA/cm^2时，该器件的效率比没有缓冲层的器件提高近一倍。     

一类蜕化Kuramoto-Sivashinsky方程的整体吸引子

本文讨论一类蜕化Ｋｕｒａｍｏｔｏ－Ｓｉｖａｓｈｉｎｓｋｙ方程整体解的存在性、唯一性，整体吸引子的存在性，表明当高阶项系数满足一定条件时，可控制因蜕化而导致解光滑效应的改变．     

GaAs半导体中三光子吸收系数的光学测量

本文首次报道了采用非线性光透射技术(NLT)测量λ=2.06μm激光激发下GaAs本征半导体中三光子吸收的实验研究.观察到了三光子吸收及所伴随的自由载流子的激发态吸收,并测得了三光子吸收系数.实验测量结果与理论计算结果比较,符合较好.     

玻璃基质中ZnS纳米晶Mn2+掺杂的两种组态下载流子限域

用融熔法制备了分散有ZnSⅩⅣMn2+纳米晶的钠硼硅(Na2O-B2O2-SiO2)玻璃.对样品在不同温度和时间下进行退火处理,获得不同尺寸的纳米晶.通过激发和发射光谱测量发现样品中的Mn2+有两种组态,即替位组态(Mn2+)替位和间隙组态(Mn2+)间隙.用有效质量模型计算了纳米晶的粒径.结果表明在一些样品中存在着载流子限域即R<Ra.     

探测光功率对半导体全光波长变换器性能的影响分析

根据半导体光放大器的高频滤波效应,利用动态载流子恢复时间的概念,分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信号的波形、啁啾与探测光功率的关系。理论计算表明,在保持变换信号消光比相同的情况下,在大的探测光功率下,变换信号的波形将变好,并且啁啾对变换信号码间干扰的影响会减小,理论很好地解释了文献中的实验结果。     

基于饱和滤波效应的半导体光放大器高速调制特性分析

本文分析了半导体光放大器的高频滤波效应,给出了具有高速响应的半导体光放大器各参量的优化设计方法,提出了动态载流子恢复时间的概念,为分析基于半导体光放大器的各种器件的高频动态特性提供了一种简单的近似方法.     

应变Si1—xGex层本征载流子浓度和有效态密度的温度特性分析

本计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ｇｅ组份ｘ和温度Ｔ的依赖关系。我们发现，随Ｇｅ组份ｘ的增加，由于Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中应力的影响，导带和价带有效态密度随之快速减少，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少得越快，而本征载流子浓度上升得越快。同时，我们还发现，具有大Ｇｅ组     

微波吸收法研究(ZnCd)S:Cu发光材料光生载流子的衰减过程

采用微波吸收法，测量了（ZnCd)S:Cu及ZnS:Mn,Cu粉末材料受到超短脉冲激光激发后，其自由电子和浅束缚电子的衰减过程，发现Cd^2 的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命影响较大小，而Cu^＋的浓度对导带电子和浅束缚电子的寿命有明显的影响，提高激活剂杂浓度会使自由电子的寿命大大缩短。     

一种可获得“迁移率谱”的新方法——瞬时热电效应法

介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍． 关键词：