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991.
GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴荣汉  高文智 《光子学报》1995,24(5):388-392
采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。  相似文献   
992.
郑伟  范希武 《发光学报》1997,18(2):122-126
本文报导了电场作用下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子发光特性.用激子局域化的观点解释了激子发光峰随电场增强而增强的现象.在Zn0.8Cd0.2Te-ZnTe多量子阱中观察到了电场作用下自由激子发光谱峰较大的红移和较快的发光淬灭  相似文献   
993.
在分析核内运动,特别是其中非核子自由度的基础上提出了一个分三步发展原子核基本理论的ABC计划。  相似文献   
994.
新一类磁传感效应——巨磁阻抗效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘宜华 《物理》1997,26(7):437-440
材料的交流阻抗随外加直流磁的改变而变化的特性称为磁阻抗效应,在软磁合金中,这种效应是快响应,高灵敏度的,因而被称为巨磁阻抗效应,文章简单介绍了这一效应产生的基本原理、高频和低频交流电流情况下这一效应的特点,介绍了这一效应的应用前景。  相似文献   
995.
金属薄膜中的量子尺寸效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
董正超 《大学物理》1997,16(9):10-12
运用最子统计的方法,计算金属薄膜中电子的态密度、电子密度、弛豫时间、计算结果表明:这些物理量都是金属薄膜厚度的函数,且随着薄膜厚度作周期性振荡。  相似文献   
996.
讨论两个囚禁在Paul阱的对称轴上的超冷离子的量子统计特性,可以发现,它们的稳定囚禁不仅与阱的稳定区有关,而且与它们自身的自旋和电荷数大小有关。  相似文献   
997.
给出软代数的理论理想成为某个不同余关系的核的充要条件,并且刻划了以软代数的同余理想的核的最小和最大软代数同余关系。  相似文献   
998.
碱金属原子量子亏损的微扰WKB计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出一个新的点电荷模型,用以模拟碱金属原子中原子实的电场性质,并用微扰WKB法给出了量子亏损Δ的计算式。此式可反映量子亏损的实验规律。以锂、钠为例,对理论值和实验值的变化趋势进行了比较和讨论。  相似文献   
999.
用路径积分方法得到了有限温度下多维量子裂变速率的表达式.  相似文献   
1000.
《现代物理知识》1998,9(1):46-46
 1997年10月15日瑞典皇家科学院发表新闻公报,将今年的诺贝尔物理学奖授予美国斯坦福大学的朱棣文(StevenChu)、美国马里兰国家标准和技术研究所的威廉·菲利普斯(WilliamD.  相似文献   
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