由自共轭线性微分算子所确定的函数类在Lq(T)中的相对宽度

得到了使等式Kn(K2(Pr),MK2(Pr),L2(T))=dn(K2(Pr),L2(T))成立的最小M值,并计算了Kn(K2(Pr),K2(Pr),Lq(T))的渐近阶,其中Kn(.,.,Lq(T))和dn(.,Lq(T)),1≤q≤∞,分别代表Kolmogorov意义下在Lq(T)中的相对宽度和宽度,K2(Pr)表示定义在[-π,π]上由自共轭线性微分算子所确定的光滑函数类.     

多元Sobolev关于Lqp（R^d）下的平均线性宽度

得到了两种多元Sobloev类于Lqp(R^d)下平均线笥宽度的弱渐估计。     

CERN的实验澄清了CP破坏的起源

1964年,Cronin,Fitch等发现在中性K介子衰变过程中CP守恒的破坏.中性K介子衰变是迄今发现CP破坏的唯一过程,这给弄清CP破坏的机制带来了一定困难.目前,关于CP破坏的起因,比较流行的有超弱理论和标准模型两种理论解释. 超弱理论是在发现CP破坏不久由Lincoln和Wolfenstein提出的一个唯象理论.中性K介子按奇异数本征态可分为 K0态(S=+1)与K0态(S=-1),又可按CP本征态分为态(CP=-1).在发现CP破坏前,人们一直认为K1,K2分别是短寿命和长寿命的两个质量本征态Ks和KL.但在CP破坏的实验中发现大约每300个KL中有一个将衰变为两个 介子,…     

利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.     

K-原子能移和宽度的唯象分析

尝试用Woods-Saxon形式的光学势来分析K原子，通过拟合一系列K原子数据，得到了一套最佳光学势参数. 把得到的这套光学势和前人的其它几种光学势在接近核表面处作了比较，发现他们彼此符合得很好. 另外，与核子-核势相比较，对于虚部势，K-核的Woods-Saxon势与核子-核的很相似，但是对于实部，K-核势要更深更窄一些.     

聚焦部分相干涡旋光束作用于不同折射率瑞利粒子上的辐射力

 使用聚焦部分相干高斯谢尔涡旋光束,对不同折射率的瑞利粒子的辐射力做了分析,着重研究了相关长度和束腰宽度对辐射力和俘获稳定性的影响。结果表明：相关长度和束腰宽度分别存在临界值,相干长度小于等于其临界值或束腰宽度大于等于其临界值时,可利用其俘获相对折射率大于1的微粒;而在相关长度大于其临界值或束腰宽度小于其临界值时,可利用其俘获相对折射率小于1的微粒。对俘获稳定性的分析表明,需选择适当的相关长度和束腰宽度才能稳定俘获瑞利粒子。     

平顶高斯超短脉冲激光的时间部分相干性对相干合成的影响

 利用准单色光干涉理论,计算了2×2平顶高斯超短脉冲激光在远场的干涉图样,分析了激光的时间部分相干性及其存在束间相位差时对相干合成的影响。计算结果表明,当单路激光输出光束线宽小于100 nm时,理想波前的远场光斑图样和峰值光强基本保持不变,当光束线宽大于100 nm时,干涉减弱衍射效应逐渐增强;光束间存在相位差时,时间部分相干性将破坏远场图样随束间相位差的周期性变化,相位差越大干涉越弱;当超过相干长度时,则为非相干合成,但1/6倍相干长度范围内,仍可视为较理想的相干合成,此时焦斑的斯特列尔比大于0.9,对超短脉冲的相干合成影响可忽略。