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51.
以三能级V型系统为例研究修饰态布居的选择性激发对无反转激光增益的作用. 当非 相干驱动场的频谱宽度远小于驱动场产生的修饰态能级的间距时,非相干驱动场只将一个修 饰态的布居抽运至激发态. 借助原子的衰减通道,系统中形成单向布居转移通道,从而建立 修饰态布居的选择性激发. 利用修饰态布居的选择性激发,可以摆脱裸态共振无反转激光的 三个限制: (1) 不再要求辅助的低频驱动跃迁比高频激光跃迁具有更高的衰减速率;(2) 显 著降低非相干激发速率的阈值;(3) 无反转激光的线性增益不再反比于相干驱动场的强
关键词:
修饰态布居的选择性激发
无反转激光增益
原子衰减速率
非相干激发阈值速率 相似文献
52.
用MS-Xα方法研究了非氧化物超导材料MgCNi3的电子结构.研究结果显示,态密度分布曲线的主峰靠近Fermi面,主要来自于Ni的d电子的贡献.用T(T=Co,Mn,Cu)替代MgCNi3中的部分Ni形成化合物MgCNi2T,替代使Ni的价电子数减小,价态发生变化,Fermi面处态密度N(EF)减小.计算结果表明:无论是电子掺杂(Cu)还是空穴掺杂(Co,Mn),MgCNi3的超导电性都被抑制;Mn掺杂比Co掺杂更快地抑制超导电性,Co是作为空穴掺杂而不是作为磁性杂质掺杂去抑制超导. 相似文献
53.
对氧碘化学激光器的单重态氧发生器(SOG)进行了改进,采用横向射流方式,并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在-16℃左右,氯气流量为530mmol/s,He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下,最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。 相似文献
54.
55.
在这篇文章中,我们讨论了李双代数胚之间的态射,得到了一些李双代数胚之间态射的性质.研究了泊松群胚在泊松流形上的泊松作用,以及这个泊松作用与被作用流形的切李双代数胚到作用泊松群胚的切李双代数胚之间的态射的关系,得到了一些有用的结论。 相似文献
56.
We propose a scheme for light amplification in an asymmetric double quantum well, where two excited states are coupled by resonant tunnelling through a thin barrier in a three-level system of electronic subbands. By applying a single driving laser, the steady state gain can be obtained. The calculated gain spectrum for an asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum well structure was presented. 相似文献
57.
Multi-Partite EPR Entangled State Representation for Continuous Variables and Its Application in Squeezing Theory 下载免费PDF全文
By extending the Einstein-Podolsky-Rosen (EPR) bipartite entanglement to an n-partite case, we construct the common eigenstate of the n-partite total coordinate and relative momenta for the continuous variables. The entanglement property of the state is shown. The classical dilation transform of variables in such a state induces a new n-mode squeezing operator related to an n-mode bosonic operator realization of SU(1,1) Lie algebra. 相似文献
58.
Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si (100) Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn 下载免费PDF全文
Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission. 相似文献
59.
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