一种视频图像规则圆目标的超分辨率位置测量方法

介绍了一种用于视频图像规则圆目标的超分辨率位置测量方法。分析了超分辨率测量的原理 ,并提出和完成了测量方案 ,取得了满意的结果。首先在目标静止时 ,连续采集多帧视频图像 ,通过叠加平均进行降噪 ;其次通过罗伯特微分算子进行边界探测 ,求出目标的大致位置 ;最后通过边界重心拟合法、边界圆拟合法和最小二乘法拟合求出目标的精确位置。理论分析和实验表明 ,完整圆目标时 ,测量精度可达 1/4像素 ;而当目标图像有缺陷时 ,边界圆拟合法和最小二乘法拟合测量误差增加较少 ,边界重心法的测量误差增加较多。在具体情况下 ,算法及参数应该作相应的调整     

一维光子晶体的有效折射率及色散特性

对有限长度一维光子晶体引入了复有效折射率的概念.它的实部描述了一维光子晶体的色散特性, 虚部反映了光在光子禁带被损耗衰减而消失的特征.从具体计算λ/4 波片堆组成的一维光子晶体的复有效折射率的结果可以看到,它的实部受到光子带结构的调制,在光子禁带及透射带中的一部分出现反常色散现象.在很大的频率范围内,有效折射率变得小于1.     

不倒翁的力学分析

从力学上对不倒翁进行了分析，得出了对其配重位置的限定条件及其微振动的周期公式。     

临界空穴扩张比准则的适用性

用新研制成的DE36平台钢制的轴对称和平面应变试样,进一步考察了临界空穴扩张比V_(Gi)准则[1]、[2]、[3]的适用性。实验和大应变有限元理论计算结果表明,V_(Gi)准则适用于所研究材料。文中指出,按V_(Gi)准则可根据试样或构件材料中V_G的发展变化来预起裂位置。     

A sensitive method of determining optic axis azimuth based on laser feedback

A sensitive method to determine the optic axis azimuth of the birefringence element is presented, which is based on laser feedback. The phase difference between the two intensities in birefringence feedback changes with the angle between the optic axis of the birefringence element and laser original polarization. The phase difference is highly sensitive to the relative position of the optic axis and the laser original polarization. This method is used to highly precisely determine the optic axis azimuth, and is able to distinguish between the fast axis and the slow axis of the birefringence element. Theoretical analysis and experimental results are both demonstrated.     

大倍率红外连续变焦系统双电机控制技术研究

采用双电机联动控制变倍组与补偿组的变焦方案替代传统的曲线套筒,实现了采用全透射式结构型式,相对口径为1/4,焦距变化范围为342.76 mm~13.15 mm连续变焦光学镜头的机械补偿式变焦。将变倍组设计成步进模式,作匀速运动,补偿组设计成位置跟踪模式,按凸轮曲线作变速运动,采用双电机全数字伺服控制凸轮（CAM）算法,将光学设计计算的变倍镜和补偿镜位置对应关系转变为对应的脉冲数输入到CAM表中,从而确定2个不同运动速度轴之间的位置对应关系。试验结果表明:双电机控制的变倍组和补偿组位置分辨率达到0.18 m,光轴一致性水平方向达到1.9,垂直方向达到1.3。     

附面层抽吸对高负荷扩压叶栅流动及负荷的影响

实验研究了低速条件下附面层吸除对某高负荷扩压叶栅流动及负荷的影响,测量得到了出口二次流速度矢量和型面静压分布,并对壁面做了罹迹流动显示.结果表明,抽吸低能流体有效抑制了分离流动,在分离点后采用较大吸气量时效果更好;吸气量越大,角区低能流体的积聚逐渐减弱,叶栅负荷随之增大,且叶展中部负荷的增加程度大于端部.     

Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化

采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关.     

黄酮甙类化合物中的酰基取代及其取代位置的确定

研究了黄酮甙类化合物的酰基取代现象，借助２ Ｄ ＮＭＲ技术，举例研究了一黄酮醇三乙酰基三糖甙的结构，着重研究糖上酰基的取代位置，并归纳总结了黄酮甙类化合物中各种常见的酰基的＾１３ ＣＮＭＲ谱及其取代所产生的位移现象。     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：