ZrO2添加对BaO-La2O3-TiO2介质陶瓷介电性能的影响

BaO-La2O3-TiO2(BLT)是典型的高介电常数微波介质陶瓷,其作为微波谐振器与滤波器的关键材料,在微波通讯技术上有着重要的应用. 选用ZrO2对BLT进行改性研究,当ZrO2的加入量z＜0.5mol时,烧结体的主晶相为Ba6-3xLa8 2x(Ti1-zZrz)18O54(x=1/2)钨青铜结构(TB)固溶体,随ZrO2加入量的增多,烧结体中产生第二相,当z＝1.0mol时,烧结体的主晶相为La2Zr2O7和BaZrO3,这与结构许容因子的变化密切相关,获得较优介电性能如下εr=103.71,Q·f=4862.53 GHz,τf=168.97×10-6/℃,优于不添加ZrO2时烧结体介电性能(εr=139.73,Q·f=1238.96 GHz,τf=179.97×10-6/℃) ,说明少量ZrO2的加入可以改善BLT陶瓷的品质因数和频率温度系数,略降低介电常数. SEM分析表明,少量ZrO2的加入没有改变烧结体的微观形貌,改性前后烧结体内部均为典型的柱状TB固溶体形貌.     

沉积氧压对Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜的结构和介电特性的影响

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备立方BZN薄膜。研究了沉积氧压的变化对薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的影响。结果表明:沉积的BZN薄膜都呈现出立方焦绿石单相结构,但是薄膜的取向随氧压变化而变化。当沉积氧压为10 Pa时,薄膜的(222)晶面拥有最强的择优取向。随着氧压的升高,BZN薄膜的介电常数明显降低。在10 Pa氧压下沉积的BZN薄膜展示出介电可调特性为5%(500 kV/cm)。     

Ba2Ti9O20-BaFe12O19复合陶瓷电磁性能的研究

本文采用流延成型法制备2-2型Ba2Ti9O20-BaFe12O19复合陶瓷。通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、振动样品磁强计对复合陶瓷界面微观结构及磁、电性能进行了分析。结果表明:复合陶瓷的介电常数和介电损耗均大于单相Ba2Ti9O20,饱和磁化强度、剩余磁化强度均小于单相BaFe12O19,矫顽力大于单相BaFe12O19。随着烧结温度的升高,复合陶瓷的介电常数先增加后减小,介电损耗的变化则相反;饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力减小。在1180℃烧结4 h的复合陶瓷具有适合的磁、电性能:εr=115,tanδ=0.0054,Ms=21.9 A.m2/kg,Mr=12.5 A.m2/kg和Hc=63.0 kA/m。     

BiAlO3改性对BF-BT压电陶瓷电性能与温度稳定性的影响

采用固相合成法制备了高温钙钛矿结构0.7Bi(Fe1-xAlx)O3-0.3BaTiO3+0.3%MnO2(BFAx-BT)无铅压电陶瓷。研究了BiAlO3改性对该体系陶瓷显微组织、电性能及温度稳定性的影响。结果表明:随BiAlO3含量的增加,陶瓷晶粒尺寸先增加后减小,压电性能的变化规律与晶粒尺寸变化一致,在x=0.01时,压电性能达到最大值d33=134 pC/N,kp=0.28。陶瓷弥散相变特征随BiAlO3含量的增加更加明显,适量BiAlO3添加显著增加了介电性能与压电性能的温度稳定性,特别是kp随温度增加在退极化温度前基本保持不变。     

Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12掺杂BaTiO3基X8R陶瓷微观结构与介电性能

研究了Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12掺杂对钛酸钡基陶瓷微观结构和介电性能影响。结果表明,掺杂Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12后钛酸钡基陶瓷晶粒明显长大,同时烧结温度可由1 280℃降低至1 180℃。系统的介电性能和Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量有密切关系。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%,体系的居里峰被明显压低和展宽,当掺杂量为2mol%时居里峰变得不明显。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%,系统的居里温度由131℃升高至139℃。当Bi4(Ti1/3Sn2/3)3O12的掺杂量为1mol%时,钛酸钡基陶瓷介电常数为1 930,介电常数温度变化率为5%(-55℃),13%(134℃),-8%(150℃),满足X8R标准。     

CaTiO3∶Zn溶胶-凝胶法制备、结构及介电性能

采用溶胶-凝胶法制备了CaTiO3∶Zn纳米粒子,透射电镜图显示平均粒径为25 nm。Zn的掺杂位置对于陶瓷相组成和烧结特性有很大影响。Ca1-xZnxTiO3和CaTiO3+zZnO样品的Zn以Zn2TiO4相形式存在;而CaZnyTi1-yO3-δ(y=0.01)样品中的Zn进入Ti位形成固溶体,无明显的降温效果,当Zn量增至0.05和0.1时,出现ZnO相。ZnO和Zn2TiO4第二相的存在均能明显促进陶瓷烧结。CaTiO3∶Zn超细粉体可在较低温度下致密烧结(≤1 250℃)。1 250℃烧结的CaZnyTi1-yO3-δ(y=0.01)陶瓷具有较好的介电性能:介电常数ε=157,品质因数Q×f=6 819 GHz,谐振频率温度系数τf=7.51×10-4℃-1。     

Bi、Nb双施主掺杂对钛酸钡基陶瓷性能的影响

本文首次在钛酸钡中以BiCl3、NbCl5的溶液形式引入Bi、Nb元素,采用低温固态反应制备了Bi、Nb双施主掺杂的纳米BaTiO3基PTC陶瓷粉,同时研究了烧结条件对PTC陶瓷材料性能的影响。利用XRD和TEM分析了样品的物相及微观形貌,发现样品为立方晶系的完全互溶取代固溶体,颗粒基本呈球形,且分布比较均匀,粒径大约50～60 nm。制陶实验表明,以Bi、Nb进行双施主掺杂可有效改善材料的PTC性能,当最佳烧结温度为1 330℃、保温时间为20 min时,可以得到室温电阻为12.93Ω,升阻比为1.920×105的电性能优良的PTC陶瓷。     

基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管

选择聚3-己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 cm²·V^-1·s^-1,开关电流比为5×10³,阈值电压为45.5 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显的垂直相分离,在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。     

铁电薄膜铁电性能与温度关系的一种实时测量实验方法

介绍了一种实时测量铁电薄膜的铁电性能与温度关系的实验方法,为进一步研究铁电薄膜的特性提供了实验基础。     

新钽酸盐Ba_3TiTa_4O_(15)的结构与介电性能

在 ＢａＯ－Ｔａ２Ｏ５系统通过掺Ｔｉ４＋合成了新钽酸盐 Ｂａ３ＴｉＴａ４Ｏ１５,用粉晶ＸＲＤ对其结构进行了分析,并测试了其烧结体的介电特性．结果表明：Ｂａ３ＴｉＴａ４Ｏ１５在室温下属于填满型四方钨青铜结构,晶胞参数α＝１．２５６ ２７（６）ｎｍ,ｃ＝０．３９５ ８６（４）ｎｍ;Ｂａ３ＴｉＴａ４Ｏ１５在－３５℃从铁电相转变为顺电相