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13.
高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d10-3d94l5f-3d104l双电子复合过程以及类Cu离子的3d104l-3d94l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。  相似文献   
14.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.  相似文献   
15.
β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.  相似文献   
16.
O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用密度泛函理论,本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度,给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内,O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位,O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感,其值随着覆盖度的增加而减小;O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,原因是Au表面电子向O偏移,形成表面偶极子;O—Au的相互作用形成成键态和反键态,且反键态都被占据,造成O—Au键很弱,O吸附能较小. 关键词: 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性  相似文献   
17.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
18.
金晓林  杨中海 《物理学报》2006,55(11):5930-5934
采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法对电子回旋共振(ECR)放电中的电离过程进行了模拟,其中带电粒子与微波的相互作用由PIC方法的电磁模型描述,粒子间的碰撞过程由MCC方法描述.考虑的碰撞类型有电子与中性粒子的弹性、激发、电离碰撞,离子与中性粒子的弹性、电荷交换碰撞,碰撞截面均依赖于能量而变化.阐述了理论分析的过程,为数值模拟ECR放电奠定了基础. 关键词: 电子回旋共振放电 粒子模拟 蒙特卡罗 电离  相似文献   
19.
烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型,得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据.将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合,得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。  相似文献   
20.
 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。  相似文献   
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