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对HL-2A装置限制器位形和偏滤器位形下放电气体分别为氘和氦时的等离子体热辐射测量结果做了初步分析,分析结果表明：在偏滤器室注入惰性气体能够有效的降低到达靶板的热辐射;超声分子束注入时,观测到注入粒子在等离子体中输运过程;氦放电时的辐射比值明显高于氘放电时的比值;真空室器壁的处理能够有效地降低辐射损失,硅化对器壁条件的改善效果明显。     

强流电子束引出窗风冷数值模拟

 研究了1.2 MW大功率电子加速器引出窗钛膜受力状况,确定其工作温度必须控制在150 ℃以内。此温度下,热传导和热辐射的散热作用可以忽略,强迫风冷是唯一的散热途径。用流体模拟计算软件分析了钛膜冷却效果与出口风速和距离之间的关系,分析回流区的存在及其影响,并对引出窗结构做了初步优化。模拟了附加隔离窗形成的封闭空间对引出窗风冷的影响,模拟结果为：提出的非均布扫描方式可以将引出窗输出能力提升76%。     

GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析

为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明：组件150℃为表面放气,450℃为材料体内放气,580℃为洁净表面获得温度,大于650℃ 时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度,是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。     

单晶生长炉全局热分析(1)——三维模型建立

晶体生长炉内高温热辐射和熔液对流十分复杂,使分析整个生长炉内传输现象的全局热分析模型一直停留在轴对称准静态假定上.本文考虑熔液对流的三维性和非定常性,构筑了三维全局热分析模型,讨论了熔液对流三维性和非定常性的影响.结果表明:本文模型预测的晶体成长界面反转临界雷诺数大大降低,更接近实际.     

平面近场辐射的单色效应和偏振态

本文计算了平面内涨落电磁场产生的电磁能密度和两平行平面间的微纳米尺度辐射热流密度,分析了近场辐射中单色效应对辐射的影响,结果表明对于碳化硅(SiC),单色效应极大地提高了电磁能密度和近场辐射换热量,而对于铝(Al)则没有明显的单色效应.本文还分析了不同偏振态对热辐射的影响.针对SiC材料,在微纳米尺度范围内,电磁能密度和辐射换热量主要受p偏振的近场倏逝波的影响,而s偏振电磁波和p偏振的远场传播波对微纳米尺度下辐射总量的贡献可以忽略.     

热辐射演示实验的再改进

分析了热辐射实验的原理,提出了使用玻璃密封系统和用电热炉作热源的改进方案.     

热辐射谱的多道采集及最小二乘法温度解析

本文报道一种以CCD光学多道分析器采集热辐射谱，用最小二乘法计算拟合普朗克黑体辐射曲线，从而解析获得辐射温度的新方法。使用上述方法对钨带灯辐射谱进行了采集解析，温度计算结果与计量检定值误差小于1％。讨论了该测试方法的优越性。     

背景辐射中负热容量系统的质量演化讨论及Runge-Kutta法数值模拟

以黑洞为例,在不考虑满足幺正性的情况下得到了在背景辐射中Schwarzschild黑洞的质量随时间变化的微分方程,并对该方程进行了必要的研究和讨论,作为对《新概念物理教程.力学》和《新概念物理教程.热学》中提到的负热容量系统的不稳定性的另一个注释.文章最后用Runge-Kutta法数值模拟了Schwarzschild黑洞的质量演化过程,使广大学生能够更直观地理解这一过程.     

轴对称热载作用厚板的热弹性运动效应分析

对板的上下表面存在一般温度边界条件的情况，解出了板表面受轴对称热辐射作用时，板内轴对称二维瞬态温度场的一般表达式；导出了厚板的热弯曲运动和热平面运动的位移型动力学方程，得出了板的挠度、转角和平面径向位移的无穷积分型公式；提出了一个求解弯曲波传播速度的方法；然后完成了一个代表性算例分析，给出了弯曲波传播规律的直观图象，得出了热加载和热卸载过程中，板内热弯曲波的时空变化特点；找出了剪切变形和旋转惯性对弯曲波传播速度的影响规律；最后，将理论结果与相应的实验结果进行了比较，两者吻合良好。     

近场热光伏和热辐射电池系统中熵的应用

近场辐射换热能够极大地提高热光伏和热辐射电池系统的输出电功率,因此研究近场热光伏和热辐射电池系统的转换效率具有重要意义。本文通过计算近场效应影响下的辐射热流和熵流,给出了近场热光伏和热辐射电池系统的最大理论转换效率,并与实际转换效率对比。结果发现在近场热光伏和热辐射电池系统中,纳米线、纳米孔两种微结构和双曲线材料相比平板和电介质,不仅有更强的辐射热流,而且有更高的理论效率。但是在实际过程中,由于近场热光伏和热辐射电池系统中光谱辐射热流的峰值频率小于电池能带间隙所对应的频率,所以其实际效率低于最大理论效率。本工作为近场热光伏和热辐射电池系统的转换效率提供了一个理论极限。