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71.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
72.
利用富铈混合稀土改善工业纯铝中富铁相形貌的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金相分析方法研究了富Ce混合稀土变质对含不同Fe量的工业纯铝的组织和其中富铁相形貌的影响。试验结果表明,随着Fe含量的增加,富铁相由弥散细小的颗粒状向短棒状、长针状转变;富Ce混合稀土变质使铝中的富铁相由长针状变为弥散细小的颗粒状。随着稀土含量的增加,-αAl晶粒逐渐细化,富铁相尺寸及数量逐渐减小。添加0.5%稀土时,-αAl晶粒细化效果最佳,而且富铁相呈细小颗粒状均匀分布在-αAl基体的晶界处。本文还对稀土改善富铁相的机制进行了分析。 相似文献
73.
SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能 总被引:2,自引:0,他引:2
3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高. 相似文献
74.
75.
Effect of Alumina and Chromium Interlayers on Microstructures and Optical Properties of Thin Ag Films on Glass Substrates 下载免费PDF全文
Effects of alumina and chromium interlayers on the microstructure and optical properties of thin Ag films are investigated by using spectrophotometry, x-ray diffraction and AFM. The characteristics of Ag films in Ag/glass, Ag/l2O3/glass and Ag/Cr/glass stacks are analysed. The results indicate that the insertion of an Al2O3 or Cr layer decreases the grains and influences the reflectance of Ag films. The reflectance of the Ag film can be increased by controlling the thickness of alumina interlayer. The stability of Ag films is improved and the adhesion of Ag films on glass substrates is enhanced by alumina as an interlayer. 相似文献
76.
报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应. 相似文献
77.
本文利用有限而元式Helmholtz积分方程法完成了慢波导环形换能器指向性的数学计算程序。文中给出了程序中所用的各种数学表达式,计算程序方框图以及计算题例。计算题例中计算机计算结果与实际测量结果基本上是一致的。 相似文献
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79.
80.