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131.
试纸法快速测定高粱中单宁的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了试纸与单宁反应的最佳条件,提出了用Fe(SCN)3-壳聚糖试纸法快速检测高粱中单宁的方法。结果表明,在pH 7.0~9.0的条件下,单宁与试纸上的显色物质反应生成紫红色稳定络合物,试纸颜色深浅与样品中单宁浓度成正比,通过与标准色阶图谱比较确定单宁浓度。试纸最低检出限达1.0μg/mL,5 min即可实现检测。应用于7种高粱样品中单宁含量的测定,并通过与国标法测定结果比较,本方法可实现半定量检测,已应用于高粱样品中单宁的实时、快速检测。 相似文献
132.
晶硅太阳电池原位光老化及热致输运机理 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究晶体硅太阳电池在标准模拟光条件下的输出特性变化规律和电池内部载流子输运特性,采用原位光老化技术对被测电池进行光照处理,按标准测试实验流程测量电池的伏安特性及光谱响应等参量,发现原位光老化后太阳电池伏安特性各项参量衰减,导致电池效率降低;短波段光谱响应微量下降,是由于原位光老化过程中电池表面产生极微量的面缺陷导致经过硅表面的微量载流子被复合;而长波段响应明显降低,是由于晶硅内大量体缺陷被激活导致长波载流子在经过硅材料内部时被复合.随后将光老化后电池退火并测量比对电池各项特性参量,结果表明,退火对光老化后电池内部深层体缺陷具有较好的修复功能,但对浅层面缺陷没有修复功能,最终造成电池伏安特性参量和光谱响应只得到部分恢复. 相似文献
133.
《光谱学与光谱分析》2012,(1):73
为促进全球范围内冶金及材料分析测试技术、优化冶金制造流程与产品的过程检测,国际钢铁工业分析委员会、中国金属学会(CSM)及中国机械工程学会(CMES)将于2012年10月31日-11月3日在"国家会议中心(北京)"联合举办ICASI’2012,CCATM’2012国际冶金及材料分析测试学术报告会及展览会。热忱欢迎冶金、材料、矿山、化工、机械、地质、环保、外贸、国防、商检等单位、部门或院校从事冶金分析、无损检测、物理及力学测试等相关工作的技术人员及管理者踊跃投稿,积极参加。 相似文献
135.
136.
137.
黄曲霉毒素是到目前为止所发现的毒性最大的真菌毒素,它可通过多种途径污染食品和饲料,直接或间接进入人类食物链,威胁人类健康和生命安全,对人体及动物内脏器官尤其是肝脏损害严重,该毒素是黄曲霉和寄生曲霉中产毒菌株的代谢产物,普遍存在于霉变的粮食及粮食制品中。 相似文献
138.
三甘醇是具有强烈吸湿性的粘稠液体,被用作石油天然气产品的新型干燥剂及脱水剂,在对三甘醇品质进行评价时,水分的含量是非常重要的指标。本文利用拉曼光谱技术,对三甘醇样品的拉曼光谱图进行采集,三甘醇标准品在波数129cm-1、321cm-1、531cm-1、830cm-1、886cm-1有较强的拉曼信号,以特征波数886cm-1的信号强度与对应的水分含量做标准曲线,得回归方程为y=-42.95x+4583.5,相关系数R2=0.9986,说明拉曼信号强度与三甘醇水分含量有良好的线性关系。选择水分含量为10%、15%、85%、95%的三甘醇溶液作为回测,平均回收率在90.1%~115.86%,相对标准偏差在0.43%~10.1%,该方法可准确检测三甘醇中的水分含量,且快速、操作简便、样品用量少,可用于现场检测。 相似文献
139.
面向对二甲苯(PX)成品的在线分析问题,为克服色谱分析法的不足,本文提出了一种基于拉曼光谱的PX成品杂质含量分析方法。为了克服激光中心波长与功率波动带来的不良影响,提出了激光中心波长自动校正与PX特征峰归一化方法;同时,结合相关分析获取了主要杂质的特征波段,并采用偏最小二乘算法进行定量分析。针对11个未知样本,PLS模型对甲苯(MB)、乙苯(EB)、间二甲苯(MX)、邻二甲苯(OX)的标准预测误差分别为0.03%、0.11%、0.02%、0.03%。实验结果表明,拉曼光谱法能够快速、准确且无损地测定PX成品中主要杂质的含量,为在线拉曼分析系统的开发奠定了方法基础。 相似文献
140.
A novel long wavelength photodetector with dual-wavelength spectral response is designed and fabricated using a step-shaped Fabry-Prot (F-P) filter structure.The step-shaped GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflectors and the InP PIN photodetector are grown on a GaAs substrate using low pressure metal organic chemical vapor deposition.High quality GaAs/InP heteroepitaxy is realized by employing a thin low temperature buffer layer.The photodetector structure is optimized by theoretical simulation.This device has a dual-peak distance of 19 nm (1 558 and 1 577 nm).The 3-dB bandwidth of 16 GHz is simultaneously obtained with peak quantum efficiencies of 8.5% and 8.6% around 1 558 and 1 577 nm,respectively. 相似文献