内耗与固体缺陷研究

 “内耗”这二个字对大家来说并不陌生,但在物理上它的科学涵义是什么,却鲜为人知.让我们先说一说什么叫“内耗”和为什么要进行内耗研究.;物体作机械振动时,即使这物体与外界完全隔绝,它的振动也会渐渐停止,这种由于内部原因而使物体的振动能量逐渐耗散的现象称为内耗.对于高频振动,这种能量耗散也称为超声衰减。在日常生活中,人们经常会碰到内耗现象.钟声悠扬,余音绕梁三日不绝,说明这铸钟所用的合金材料的内耗是很低的.     

Focusing Properties of Fractal Zone Plates with Variable Lacunarity：Experimental Studies Based on Liquid Crystal on Silicon

The focusing properties of fractal zone plates （FZPs） with different structure parameters are studied experimentally. The axial irradiance of FZPs is deduced at n=4. The experimental results are in good agreement with the theoretical prediction. A method to fabricate FZPs with variable structure parameters is mentioned, and the liquid-crystal-on-silicon device is used to implement this experiment. The experimental results indicate that the focal depth of lower order FZPs is larger than that of higher order FZPs.     

Growth,defects,and properties of GdCa4O（BO3）3 and Nd：GdCa4O（BO3）3 crystals

Pure and neodymium-doped gadolinium calcium oxoborate crystals of high quality were grown by the Czochralski method.The orientation of crystal was precisely determined,and the samples for measurements were prepared.Through synchrotron x-ray topography and high-resolution x-ray diffractometry,the twin structure was discovered.Some properties such as the figure of merit value,and dielectric,piezoelectric,and elastic constants were meausured along with a discussion of the anisotropy of the laser properties.     

电子照相技术成像模拟研究

针对高能电子照相的关键物理过程开展蒙特卡罗照相模拟研究,采用Geant4围绕2.5 GeV电子在四极透镜组内的输运、电子与物质相互作用衰减等照相基本过程展开研究。通过设计不同材料、不同厚度的含缺陷平板作为模拟照相客体,开展放大型电子照相系统缺陷分辨能力模拟。此外,采用不同材料、不同厚度的台阶样品,模拟获得了电子束流穿过相应面密度材料后的线扩展函数,进一步评估电子照相对实心客体的探测分辨能力。     

Q波段宽频带线性化器设计

当前我国Q/V频段的低轨卫星互联网项目正在大力开展,宽带通信正在逐步发展。而国内相关线性化技术一般局限于较窄频带,相关研究尚不成熟。因此尽快研究设计宽频带线性化器十分有必要。采用适用于空间环境的模拟预失真技术,设计出针对卫星通信所用的行波管功率放大器（TWTA）的Q波段线性化器。其利用新型微带传输结构,结合肖特基二极管,可在毫米波频段实现超宽瞬时频带的线性化。在38～43 GHz（5 GHz）的瞬时频带内对TWTA的幅度失真以及相位失真有着很好的改善。线性化器在输入功率为?17～13 dBm的范围内,频带内幅度增益约为4.8～7.2 dB,相位扩张约为70°～88°。相对其他同类型线性化器,此线性化器对应频率较高,且可在很宽的瞬时频带内对TWTA实现比较稳定的线性化。     

Er3+掺杂对ZnO/GaN发光二极管电致发光性能的调控

采用水热法制备了Er~(3+)掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光性能进行了表征。结果表明,掺杂前后ZnO纳米棒的形貌及晶型结构未发生改变,Er~(3+)被均匀地掺杂至ZnO纳米棒中,并未发现形成Er_2O_3;掺杂Er~(3+)后样品的光致发光光谱显示400 nm左右蓝光部分占比先提高后减少,其可见光占比减少归因于Er~(3+)填补了一部分锌空位缺陷,同时抑制了一部分氧空位缺陷。结合荧光寿命光谱分析也可发现其辐射发光部分寿命延长,表明荧光辐射效率提高。最终选取掺杂浓度为30%的单根ZnO纳米棒制备ZnO/GaN异质结发光二极管,与未掺杂Er~(3+)的样品相比,其电致发光强度提高了5倍。本研究可为ZnO基电致发光器件的性能改善提供一种简便可行的方法。     

相变及空位缺陷对高压下GeO_2光学性质的影响

本文采用第一性原理方法,在100 GPa的压力范围内,计算了GeO_2理想晶体和含锗、氧空位点缺陷晶体的光学性质.吸收谱数据表明,压力诱导的三个结构相变对GeO_2晶体的吸收谱均有影响:第一个相变将导致其吸收边蓝移,而第二和第三相变将使得其吸收边红移.锗和氧空位点缺陷的存在将导致GeO_2的吸收边红移,但氧空位点缺陷引起的红移更明显.尽管如此,分析发现,在100 GPa的压力范围内,压力、相变以及空位点缺陷等因素都不会导致GeO_2晶体在可见光区出现光吸收现象(是透明的).波长在532 nm处的折射率数据显示,在GeO_2的四个相区,其折射率均随压力增加而降低;而且,GeO_2的三个结构相变以及锗、氧空位点缺陷都会导致其折射率有所增大.本文预测,GeO_2有成为冲击光学窗口材料的可能.     

剪切形变下掺杂及缺陷对MoS2电子结构的影响

本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS2电子结构的影响。发现：剪切形变下,MoS2+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS2+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS2+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS2模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构。     

高温断裂力学的研究进展及其应用

在石油化工、化工和电力工业中，高温下服役的构件发生断裂失效事故常有报道。失效分析表明高温构件的失效与构件中存在的裂纹状缺陷有直接的关系，而且多数由蠕变裂纹的扩展引起的失效。     

剪切散斑干涉与有限元优化计算相结合实现缺陷参数的定量求解

本文将剪切散斑干涉与有限元优化分析相结合，对薄壁压力容器缝缺陷进行了定量检测，通过对优化计算结果和已知的缺陷参数所构成的目标函数的求解，获得了较为精确的缺陷参数识别结果。