A～190区超形变带自旋指定的再讨论(Ⅰ)偶偶核

在γ跃迁能量中扣除了ΔI=4分岔的影响后,根据ab公式,系统讨论了A～190区偶偶核超形变带,给出了绝大多数超形变带的自旋值. 部分超形变带的自旋指定值,不同于其它方法得到的结果.     

光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.     

Gd_xY_（1－x）P_5O_（14）：Ce，Tb的发光和能量传递Ⅱ．Ce→

研究了Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ＿（０．０１），Ｔｂ＿（０．０２）体系中Ｇｄ的子晶格在Ｃｅ→Ｇｄ→Ｔｂ能量传递中的中介作用规律及ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４），ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｔｂ和Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，Ｔｂ的荧光光谱、激发光谱。结果表明，当ｘ＞０．７时，结构从单斜Ⅱ（Ｃ２／ｃ）的层状结构变为单斜Ｉ（Ｐ２＿１／ｃ）的带状结构，Ｃｅ￣（３＋）的发射光谱和Ｇｄ￣（３＋）的吸收光谱交迭增加等是Ｃｅ￣（３＋）→Ｇｄ￣（３＋）→Ｔｂ￣（３＋）能量传递几率增加的主要原因。     

一组积分方程的准确解

本文求出了其核含有参数及任意函数的一组积分方程的准确解,并初步讨论了解的性质。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。