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41.
Gd2O3:Eu纳米晶的制备及其光谱性质研究 总被引:5,自引:2,他引:3
以EDTA为络合剂,聚乙二醇为有机分散剂,用络合溶胶—凝胶法制备出Gd2O3:Eu纳米晶。用XRD,SEM,X—射线能量色散谱仪(EDS),荧光分光光度计等分析手段对Gd2O3:Eu的纳米晶结构、形貌、组分的均匀性以及发光特性进行了研究。结果表明:EDTA—M凝胶仅在800℃焙烧即可得到颗粒细小、组分均匀、纯立方相的Gd2O3:Eu纳米晶,颗粒基本呈球形,粒径为30nm左右。对样品的激发光谱、发射光谱测定表明:Gd2O3:Eu纳米晶在269nm光激发下发红光,发射光谱谱峰在611nm,与体材料基本相同;激发光谱中电荷迁移带(CTB)明显红移,从体材料的255nm移至269nm,移动了约14nm;猝灭浓度从体材料的6%提高到8%。 相似文献
42.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献
43.
44.
45.
46.
电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at%相似文献
47.
48.
49.
溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。 相似文献
50.
激光二极管端面抽运的棒状Yb:YAG激光器 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了影响激光二极管抽运Yb:YAG激光器调Q效率的参量,推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb:YAG晶体的速率方程,解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法,模拟了净抽运量子产率与晶体长度,抽运光脉冲宽度等关系,得出晶体长度的优化可以提高Yb:YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb:YAG激光器的最大增益、最大储能,分析了放大自发辐射对于Yb:YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb:YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。 相似文献