MSM结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器

采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器.研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小,并对其具体的机制进行了研究.     

用于氢原子1S-2S光谱研究的超窄线宽243nm半导体激光

近年来,随着激光稳频技术的发展,人们可以把972nm的外腔半导体激光器产生的激光进行放大和四倍频,并将它锁定到超稳定的光学法布里-珀罗腔上,从而可以获得Hz量级超窄线宽的243nm激光,使其成为研究氢原子1S-2S双光子跃迁的有力工具.文章主要介绍了超稳腔、四倍频243nm半导体激光器的研究进展及在氢原子1S-2S双光子跃迁精密光谱研究中的应用.     

在纳米量级上电荷分布的镶嵌模型

每一个中学生在学物理时都知道，将气球在自己的头发上摩擦一下，或者将两个非导体材料相互摩擦后，都会在两个物体的表面上各自产生正、负静电荷．这个过程在形式上是涉及接触充电的问题．对这个问题，长期来在理论处理上一直是假设两个接触材料的表面的特性是空间均匀的，接触后表面电荷的空间分布也是均匀的．如果这个假设是正确的话，那么两个相同材料相互摩擦后，表面电荷应该没有任何的变化．     

电像法求解线电荷与带有半圆柱凸起的接地平板导体形成的电势和电场

利用电像法求解了线电荷与带有半圆柱凸起的接地导体平板形成的电势、电场分布,讨论了导体表面电荷分布特征,并用Matlab软件绘出了等势图.     

AgI（Cr2O3）混合离子导体的ESR研究

本文报道Agl(Cr_2O_3)混合离子导体的电子自旋共振(ESR)实验结果。观测到一种新的稳定的ESR信号,它可能对应于Agl和Cr_2O_3界面层内与Ⅰ~-空位相关(类似F心)的缺陷,这种缺陷的存在可能是提高Ag~+电导率的重要因素。     

A percolation study of RTS noise in deep sub-micron MOSFET by Monte Carlo simulation

Based on percolation theory and random telegraph signal (RTS) noise generation mechanism, a numerical model for RTS in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was presented, with which the dependence of Tc/Te (where Tc=capture time, Te=emission period ) on energy levels and trap depth with respect to the interface of traps can be simulated. Compared with experimental results, the simulated ones showed a good qualitative agreement.     

欧姆（Ohm．Georg Simor，1789-1854）德国物理学家（Physicist．Germany）

欧姆1827年证明：通过导体的电流与电位差成正比，与电阻成反比。这是欧姆对科学的第一流贡献，理应当上大学教授。可是他并未得到任命。他的研究成果激起了普遍的反对和不满，连他的中学教师的职位也被迫辞掉了。他在贫困和愤世不公中度过了整整6年，而他的研究成果却在其他国家慢慢地被人了解和赏识。1841年，英国皇家学会授给他科普利奖章。最后，在自己的祖国也受到了尊敬，并在1849年被任命为慕尼黑大学教授。     

镜像系统和镜像天线

对电荷电流体系在理想导体平面所形成的镜像系统的各物理量作了全面分析，并得出镜像天线的结果。     

超高介电常数非铁电单晶

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