磁控管法测电子荷质比e／m理论公式推导的改进

一、引言 1987年《大学物理》发表了测定电子荷质比e/m的各种方法的四篇文章。其中文献是在考虑空间电荷分布效应情况下导出r_k→0时电子运动轨迹的近似解,从而导出临界条件下测算电子荷质比的公式:e/m=(8u_a)/(r_a~2B_c~2)。并在注中说明A.W.Hull曾作过类似工作,得到结果与文献[1]完全一致,但推导方法有所不同。本文提出一种完整的推导方法,对历史上已有过的推导方法作了改进使之更符合实际。其主要改进之点为: (1)本文简化设想阴极具有电荷线密     

保偏光纤偏振器

利用保偏光纤的弯曲损耗特性绕制而成的光纤偏振器已有过报道。但文献[1]中报道的偏振器尺寸太大(φ=100mm),不利于光纤陀螺的小型化。本文介绍一种采用“熊猫”型光纤制成的偏振器,其尺寸较小(φ=30mm),消光比可达到33dB。     

High-Density Read-Only Memory Disc with Ag11In12Sb51Te26 Super-Resolution Mask Layer

A novel read-only memory (ROM) disc with an Ag11ln12Sb51Te26 super-resolution mask layer is proposed and investigated for the first time to our knowledge. The carrier-to-noise ratio of more than 40 dB could be obtained from small pits (380nm), which are below the readout resolution limit (400nm), in our dynamic setup with a wavelength of 632.8 nm and numerical aperture of 0.40. Dependences of carrier-to-noise ratio on readout power,readout velocity and film thickness are studied. The results show that the optimum film thickness is 20-50nm and the corresponding carrier-to-noise ratio is more than 40dB at readout power of 4mW and readout velocity of 2m/s in our experiment. The super-resolution readout mechanism for this ROM disc is also discussed.     

球上的对数Carleson测度

本文研究多复变数单位球上的Carleson测度,利用Bloch函数对有界及消没对数Carleson测度进行刻画,得到了在Bloch空间上类似于Hardy空间和Bergman空间上的Carleson定理.并推广的Cesáro算子在Bloch空间上有界和紧的等价条件.     

用等离子体治疗牙病

等离子体清洗经常使用在材料处理和半导体工业上，虽然等离子体也可以快速地消灭细菌，但由于它们都处于高温状态，所以一直无法应用到生物医学领域．三年前，荷兰Eindhoven大学的一些物理学家发展了一种可在室温下工作的“等离子体针”。     

双对数模型对模型模拟误差的放缩问题探讨

对双对数模型lg Y=a0+a1lg X1+a2lg X2+…+anlg Xn与其对应的指数模型y=c0xa11xa22…xann的模拟相对误差的关系进行了探讨,指出双对数模型具有放大和缩小指数模型相对误差的特性.对二者的关系进行了理论推导和实例验证,并给出了二者的定量关系式.     

Linear Cavity Erbium—Doped Fibre Laser with Tunable Wavelength Range of 112nm

We report on a linear cavity erbium-doped fibre laser with a large tuning range of 1509-1621nm.We obtain a 1dB flat tuning range of 1538-1613 nm and a 3dB tuning range of 1516-1621 nm.The threshold at 1580 nm is 6.1mW,the slope efficiency is 0.193 and the output power is 18.2mW,when 100mW pump power at 1480nm is provided.High signal-to-noise ratios of better than 60 dB are achieved within all the tuning ranges.     

脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

对碳纳米管(CNT)掺杂MgB₂超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明，CNT掺杂MgB₂超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度J_c(H)在低磁场下提高了2—3倍，高场下提高一个数量级以上，扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB₂基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心. 关键词： 2')" href="#">MgB₂ 碳纳米管 脉冲磁场处理