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测量了Cr^4+,YAG、Cr^4+,Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱,吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr^4+近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系,得出结论:在77K ̄300K范围内,Cr^4+的^3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr^4+辐射荧光的变化,主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。 相似文献
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根据电磁场理论及电子运动守恒方程导出传输线横向空间电荷流的数值模型和磁绝缘临界条件,对圆柱和平板情况进行了计算和讨论。 相似文献
96.
微微秒自动调谐参量激光的研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用一对MgO:LiNbO_3角度调谐覆盖了红近外波段0.7~2.2μm,并配以自动波长扫描。文中分析了影响脉冲宽度与线宽的因素,与实验结果相吻合。脉宽<30ps,线宽~1nm(简并波长附近~10nm),单脉冲峰功率达MW级,参量光总能量转换效率达5.4%。 相似文献
97.
美国自适应光学联合公司(AOA)在哈佛大学 PAPA 探测器的基础上研制成功的光子数字化编址摄象机是一种具有极高探测灵敏度的光子计数式二维微光摄象机。采用多通道光学编码方法,可对光电倍增管探测到的每一个光电于事件产生相应的(x,y,T)时-空坐标数据,微机采集来自光子摄象机的数据流供实时图象显示和处理。 相似文献
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不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射 总被引:1,自引:1,他引:0
本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射. 相似文献
99.
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
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